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mosfet是由胡旦氏电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。
igbt
结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off
time.
但是，它容易做到高电压，大电流。所以，像动车组，电动汽车等都用它（迟闭反相击穿电压几千伏）。由于它导通后会像三极管一样有ce电压。所以不适合用于低电压电路，相对来说开关损耗会变裤散大。
可控硅了解不多，它只能是导通和截止，不像mos和igbt会有放大状态。
价格应该可控硅最贵，igbt次之，mosfet最便宜。
mos管与场效应管是一个概念。mos管是全控型的，是电压驱动码培的；晶闸管是迟携唯半控型的，由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。mos管要维持导通隐察必须要栅极和源极之间保持一电压差，一般10v左右。
区别很大。最大的区别关断的方式不同，MOS管撤掉栅源电燃芦压就要辩段森关断，而可控硅需要负载电流为0,然后自动判断，所以可控硅大部分应用在脉动的直流或携亩交流电中。一下子说不清
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