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可控硅与MOS(可控硅与mos管的区别)

发布时间:2023-05-11
阅读量:295

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IGBT,可控硅,MOSFET的工作原理,区别。

mosfet是由胡旦氏电压控制器件,开关速度比三极管快,内阻比三极管低。所以适合做开关管,开关损耗低。

igbt

结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些,特别是off

time.

但是,它容易做到高电压,大电流。所以,像动车组,电动汽车等都用它(迟闭反相击穿电压几千伏)。由于它导通后会像三极管一样有ce电压。所以不适合用于低电压电路,相对来说开关损耗会变裤散大。

可控硅了解不多,它只能是导通和截止,不像mos和igbt会有放大状态。

价格应该可控硅最贵,igbt次之,mosfet最便宜。

功率管 mos管 场效应管 晶闸管 可控硅是一种东西吗

mos管与场效应管是一个概念。mos管是全控型的,是电压驱动码培的;晶闸管是迟携唯半控型的,由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。mos管要维持导通隐察必须要栅极和源极之间保持一电压差,一般10v左右。

可控硅与MOS管有什么区别??

区别很大。最大的区别关断的方式不同,MOS管撤掉栅源电燃芦压就要辩段森关断,而可控硅需要负载电流为0,然后自动判断,所以可控硅大部分应用在脉动的直流或携亩交流电中。一下子说不清

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