mos管反向保护电路（mos管反向电流）

发布时间：2023-06-12

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MOS管，如果漏极与源极的电压反接，就是当作二极管来用了。MOS管，漏极和源极之间反并有一寄生二极管。

一般功率MOS管是有方向的，你可是测试一下，源漏可以等效成一个二极管。接反了就直通了。

用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极）。平面N沟道增强型MOSFET的栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。

当栅源压差大于导通电压（vth）后，场效应管就开始导通了，实际应用中，经常把源极接在gnd上，方便管子的开启关断。

漏源电压高到一定程度（其实就是预夹断之后），UGD的电压会呈现反压，也就是在反型层所在的沟道中出现空间电荷区，ID要从D到S，需要克服一段空间电荷区（耗尽层），这时候，MOSFET呈现得是一种放大状态。

使用MOS管的注意事项 1)为了安全使用MOS管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

MOS场效应晶体管使用注意事项。MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。

1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

2、N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。

3、在场效应管的放大电路中，为实现电路对信号的放大作用，必须要建立偏置电路以提供合适的偏置电压，使场效应管工作在特性的恒流区。

4、恒流区状态。源极跟随器，是用得比较广泛的一种电路，其中场效应晶体管是N沟道耗尽型MOS管，该电路由于输入电阻大，输入电容小，所以源极跟随器的放大管在工作时需要在恒流区的状态来保持输入输出的电阻、电容平衡。

5、因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

mos管反向保护电路（mos管反向电流）

1、可以，但仍需要2个相反同步信号去做到电机正反转的功能。

2、：IRF9120和120内部有保护二极管，在驱动电流比较小情况下可以不接，若RL为电动机，则需外接大功率二极管。

3、mosfet 24v h桥正或反转时不导通两管的D-S电压24v，所以上图规格对管都可以。

4、因为这两只管子是TVS二极管，相反方向串联构成双向TVS。并联在负载上用来吸收直流电机的电刷和绕组发出的脉冲，也可以抑制PWM载波使四只驱动晶体管高速关断所产生的尖峰电压脉冲。

5、应该是同一组桥臂的上下桥臂同时导通引起的，可能：1）有一个开关管已经击穿；2）门触发脉冲不正确；3）4个门触发线接错位了。