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1、MOS场效应管分J型,增强型,耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体,P沟道是P型半导体,然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有极高的输入电阻。
2、功能不一样:晶体管的功能是检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。而普通晶闸管的功能则是可控整流。
3、结构不同 晶体管是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等,有时特指双极型器件)。晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极、阴极和门极。
普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。
可控硅可视为一只PNP三极管和一只NPN三极管的组合。PNP三极管基极与NPN三极管的集电极相接。PNP三极管的集电极与NPN三极管的基极相接为控制极(G),PNP三极管的发射极为阳极(A),NPN三极管的发射极为阴极(C)。画图后很直观。
首先,可以把从阴极向上数的第三层看面是一只NPN型号晶体管,而三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第第三层为两管交迭共用。
单向可控硅可以判别,最好模拟万用表,可控硅内部有一个PN结,PN的判断跟二极管一样,先把它找出来,这样就找出了控制极——万用表的正极表笔,还有阴极——万用表的负极表笔,剩下那个就是阳极。
通过判定可控硅的极性同时也可定性判定出可控硅的好坏。如果在测试中任何两极间的正反向电阻都 可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。单向可控硅有阴极(k)、阳极(a)、控制极(g)。
1、可控硅的结构是:可(半包围结构)控(左右结构)硅(左右结构)。可控硅的结构是:可(半包围结构)控(左右结构)硅(左右结构)。注音是:ㄎㄜˇㄎㄨㄥ_ㄍㄨㄟ。拼音是:kěkòngguī。词性是:名词。
2、目前大功率晶闸管常用的外形结构有螺栓式和平板式,它具有三个PN结的四层结构,其外形、结构和图形符号如图所示。
3、可控硅元件的结构:不管可控硅的外形如何,可控硅的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层PNPN2结构。
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