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可控硅导通条件:可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,控制极也要加正向电压。可控硅一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉控制极电压,可控硅仍然导通。
简单的说就是你在那个电阻上加一个比较小的直流正向电压(比如5V)就能让可控硅导通了,电阻不能太大,200Ω就差不多了,不过准确的话要看可控硅的型号。
是的,你可以看成是两个单向可控硅的反向并联,每个方向都有一个可控硅处于正向导通状态,所以可以双向导通谓之双向可控硅。
虽然双向可控硅反向导通,但容易击穿,故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路,实现双向可控硅过电压保护,图3 中的C2 、R8 为RC 阻容吸收电路。
1、multisim10里有光耦元件,如图所示:Multisim是美国国家仪器(NI)有限公司推出的以Windows为基础的仿真工具,适用于板级的模拟/数字电路板的设计工作。
2、在misc(混合库)中的optocoupler(光耦合器)里面都是光耦元件。
3、首先打开multisim,在工具栏找到一个二极管符号。其次选中kp5-12可控硅双向可控硅。最后点击开始按钮,启动电路仿真即可。
4、在Multisim14中,在ActiveComponents或PassiveComponents元件库中找到光耦元件,通过拖拽的方式将其添加到电路图中进行仿真和调试。
5、打开multisim软件进入操作界面。点击功能栏“绘制”中的“元器件”。在“组”中选择“Basic”。在“系列”中选择变压器“INDUCTOR_COUPLING”。
6、光耦可控硅:晶闸管,又称可控硅(单向scr、双向bcr)是一种4层的(pnpn)三端器件。在电子技术和工业控制中,被派作整流和电子开关等用场。在这里,介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。锁存器电路。
MCR100-8是单向可控硅,可以用BT169或MCR100-6替换。单向可控硅为具有三个PN 结的四层结构,由最外层的 P 层、N 层引出两个电极——阳 极 A 和阴极 K,由中间的 P 层引出控制极G。
mcr100-6是400V;mcr100-8是600V。如果用在220V的线路中都可以,如果用在反压较高,或有较高自感电势的线路,当然选电压高的更可靠。
可用常见的MCR100-6或MCR100-8直接代换。PCR606是1A400v单相小功率可控硅,可以改用大功率可控硅。
用途:MAC97A6是400V 0.8A的TO-92双向可控硅。代换型号:BT131-600,Z0607,1A60,BCR1AM,MAC97A08,体积问题也可以用TO-220的BTA16-800,BTA12-600,BT136-600。
MCR 100-6可以用BT16CR0MCR100-8代替。MCR 100-6是单向可控硅/SCR,不是三极管,耐压600V0.8A。特点:灵敏型单向可控硅,一般应用:继电器与灯控制、小型马达控制、较大晶闸管的门极驱动、传感与检测电路等。
没有事,我给你再找一下。可以用2N2369/KTV,2N2369TPT,3DA89,3DG84B。代替。
1、半导体发光器件是一种将电能转换成光能的器件。它包括发光二极管、红外光源、半导体发光数字管等。1·发光二极管发光二极管的管芯也是一个PN结,并具有单向导电性。
2、目前半导体元件包括 : 二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。
3、基本的半导体器件主要有以下几种:pn结二极管,金属氧化物场效应晶体管(MOS),双极晶体管(BJT),结型场效应晶体管。pn结二极管结构:其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。
4、即将射到它表面上的光信号转换为电信号,如 PIN光电二极管和雪崩光电二极管( APD )等,目前广泛用于光纤通信系统。③ 太阳电池。将光辐射能转换成电能的器件。1954年应用硅PN结首先研制成太阳电池。
5、半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。
6、半导体光电器件如光导管、光电池、光电二极管、光电晶体管等;半导体热电器件如热敏 电阻 、温差发电器和温差电致冷器等。
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