mos管温度特性（mos管的温度特性曲线）

发布时间：2023-06-12

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工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：380ns 引线数量：3 12N65的TO-262封装系列。它的本体长度为4mm，加引脚长度为23mm，宽度为2mm，高度为7mm。

工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3 6N65大电流场效应管封装系列。6N65具有低栅极电荷、低Ciss、快速切换、100% 雪崩测试、改进的dv/dt功能等特性。

N65的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N65的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。

工作温度：-65~+150℃ 引线数量：3 78M05贴片封装系列。它的本体长度为7mm，加引脚长度为0mm，宽度为7mm，高度为5mm，脚间距为3mm。

mos管温度特性（mos管的温度特性曲线）

N65的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为650V，二极管正向电压(VSD)为4V，其中有3条引线。

网上可以查到的。通常这种型号，导通电阻都是毫欧级的，很小。

N65的TO-262封装系列。它的本体长度为4mm，加引脚长度为23mm，宽度为2mm，高度为7mm。12N65的特性有：低固有电容、优异的开关特性、扩展安全操作区、无与伦比的栅极电荷：Qg= 44nC（典型值）等。

由于这个寄生二极管的存在，当沟道关闭后，mos管源漏之间仍然能够单向导电。因此，为了让mos管正常工作，必须保证该寄生二极管处于反偏。

MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。

三极管是电流性原件，也就是说开通他需要一定的电流，但很小，这个和MOS管刚好相反，三极管有NPN和PNP两种。要了解他的放大电路可以去看看模电，在这里只讲他做开关时候的原理，NPN的是VB-VE开启阈值即导通，PNP则相反。

运放有的用三极管有的用MOS管；基片上可以做出包含有数十个或更多的BJT或FET、电阻和连接导线的电路。集成运算放大器是一种具有高电压放大倍数的直接耦合放大器，主要由输入、中间、输出三部分组成。

·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。