mos管封装散热（mos管封装形式）

发布时间：2023-06-12

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本文目录一览：

1、mos管的发热分析
2、TO-TO-247封装MOS散热功耗
3、MOS管发热,除了换更大的MOS,还有什么办法
4、mos管散热问题以及搭电路的一些问题
5、MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管

mos管的发热分析

假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。

一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。

首先，MOS管发热的原因是什么？MOS选型不合理，内阻较大，或者是封装导热性不好，导致温升较高。散热效果不好，MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。

问题不够详细，不过mos管发热一般有这么几种：负载过重，导致mos管过流发热。推动激励信号不足，导致mos管发热。激励信号过强，也会导致mos管发热。一般mos管工作温度都在120摄氏度以下，都可以工作的。

如果希望工作在开关状态。MOS管的驱动方式不正确。由于MOS栅极有很大的电容（几百上千Pf ）因此开关开通与关断过程很长，会造成很大的损耗。所以会发烫。MOS管用于开关运行时需要良好的驱动电路。

mos管封装散热（mos管封装形式）

TO-TO-247封装MOS散热功耗

1、MOS管TO-247封装尺寸及外形，TO247是比较常用的小外形封装，表面贴封装型之一，247是封装标准的序号。

2、手册中给出的通态电阻，是完全导通后的最小值。如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。

3、热阻是指MOSFET在工作过程中，结温与环境温度之间的温度差与功耗之比。SPW47N60C3的热阻较低，有助于降低器件的温升，提高系统的可靠性。

4、TO-220封装：TO-220由金属片与中间脚相连。TO-247封装：TO-247是全塑封装，通过塑料接口与中间脚相连。绝缘不同 TO-220封装：TO-220封装的金属片与中间脚相连的，上到散热器的话要加绝缘垫。

5、具有更好的开关特性。最大电压，3713MOS管的最大耐受电压为55V，228MOS管的最大耐受电压为60V。228MOS管相对来说可以承受更高的电压。封装类型，3713MOS管采用的是TO-247封装，而228MOS管采用的是TO-220封装。

MOS管发热,除了换更大的MOS,还有什么办法

如果温度不是太高，例如75°一下，可以不用处理，如果温度确实太高，可以考虑在管子上加一块散热片。微星的板子有很多型号管子上就有散热片，附图是一个例子供你参考。

对抗性方法：强制散热，增大散热片面积，将MOS管与散热片紧贴（加硅胶），必要时采用强制风冷（风扇吹）等等。

通过测试结果分析后，改变栅极驱动电阻阻值，选择合适的频率，给MOS管完全导通创造条件，MOS工作后有效的降低了尖峰电压，又选择了内阻更小的MOS管，使在开关过程中管子本身的压降降低。同时合理选择的散热器。

加大散热器面积；使用热管将热量导出密闭容器外进行散热；使用水冷散热器；使用石墨散热器；减少MOS管通过的电流或开关频率；MOS管余量加大。

用VTH小于0V 的MOS，或者加图腾把VTH提高8至12V，加大MOS电流，主要看什么原因导致MOS发热。

开关电源的散热设计 MOS管导通时有一定的压降，也即器件有一定的损耗，它将引起芯片的温升，但是器件的发热情况与其耐热能力和散热条件有关。由此，器件功耗有一定的容限。

mos管散热问题以及搭电路的一些问题

1、首先，MOS管发热的原因是什么？MOS选型不合理，内阻较大，或者是封装导热性不好，导致温升较高。散热效果不好，MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。

2、一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。

3、如果希望工作在开关状态。MOS管的驱动方式不正确。由于MOS栅极有很大的电容（几百上千Pf ）因此开关开通与关断过程很长，会造成很大的损耗。所以会发烫。MOS管用于开关运行时需要良好的驱动电路。

4、mos管用作放大电路，漏源间电压高，在线性放大状态，其功率对应肯定会增大。如果是功率输出级，散热片要考虑足够大和有足够的散热空间。因此在mos管耐压足够的情况下，主要就是散热问题，由于电压高导致温度高，是易坏的。

5、对于变压器二次侧的整流可以选择效率更高的同步整流技术来减小损耗。对于高频磁性材料引起的损耗，要尽量避免趋肤效应，对于趋肤效应造成的影响，可采用多股细漆包线并绕的办法来解决。

MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管

法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。

发热越小。并计算MOS管功耗。最后，根据以上参数：耐压，最大电流和功耗，选择符合以上条件的MOS管。根据允许安装尺寸选择合适的封装。比如top3，to220，to263，to252，dfn8，qfn8，sop8，sot23，sot223等封装。

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