mos管rcd（MOS管RCD电路设计）

发布时间：2023-06-12

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1、开关电源中的RCD是吸收电路的一种，与开关管并联，用于保护开关管，同样作用的还有RC吸收电路。反激电路中用到的RCD钳位电路是为漏感能量提供泄放回路，也起到保护开关管的作用。

2、从图中看这是一个反电动势尖脉冲吸收电路，是用来保护开关三极管的。简化电路如图，由于直流电不能突变，当三极管快速导通与截止时，变压器次级产生交变电压，从而使次级有电压输出。

3、几个元件构成RCD浪涌电压吸收网络，可以降低浪涌电压，减小振铃信号。由于变压器存在漏感，因此在开关管关断时，会在绕组上产生很高的浪涌电压，3+ 、1-，电压过高时，可能会击穿开关管。

4、RCD吸收电路它由电阻Rs、电容Cs和二极管VDs构成，电阻Rs也可与二极管VDs并联连接。吸收电路对过电压的抑制要好于RC吸收电路，与RC电路相比Vce升高的幅度更小。由于可以取大阻值的吸收电阻，在一定程度上降低了损耗。

5、吸收电路主要是吸收波峰，是动作波形平滑，减少干扰，避免误动作。

你能想到的，设计师也能想到。反电势吸收需要高耐压和快速恢复。同时也需要限制通过二极管的电流。

吸收电路主要是吸收波峰，是动作波形平滑，减少干扰，避免误动作。

BOOST，和BUCK是两种电路。RCD就是电阻电容二极管。D就是关闭时候续流。C是滤波，R是假负载或者采样。

首先，全波整流在单相电路中需要4个二极管。全波整流当然可以直接接在交流电源上，找个开关电源电路图，都是这样的。

电容为几纳法，否则计算的一定不合理或设计的不合理。在我看来RCD的成本很低，所以不特殊分析了。我现在一级代理台湾某企业的电源管理IC，MOSFET，LDO等期间，如果有需求可以联系。技术交流也很欢迎。

mos管rcd（MOS管RCD电路设计）

1、电流过大：如果 MOSFET 所选的额定电流过小，超过了其耐受水平，则 MOSFET 会因过热而损坏。电压过大：如果 MOSFET 所选的额定电压过小，超过了其耐受水平，则 MOSFET 会因击穿而烧毁。

2、电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小，同时也会引起效率下降。峰峰值和过电压的尖峰不是一回事。

3、因为所属此MOS管对应供电部分有短路，这样会使场场效应管超负荷工作，从而造成软击穿(即肉眼观察无烧痕)或硬烧毁。例如：中央处理器短路也会造主板MOS管烧掉。有短路保护设计的则可以避免。机箱电源也是同理。

4、驱动能力不足，导致管子没有完全导通，导通电阻太大热死；如果是桥式拓扑，有可能驱动的死去时间不够，导致上下管直通短路烧死。解决办法：示波器勾一下开机瞬间的Vds波形，分析一下具体工作情况。

5、ivanlawang同志所说的：Mos管开启、关闭都需一定的功率、因存在电容贮存电荷效应与过渡时间、这过程叫损耗值、即管会烫、过度了管孑就烧伤。面积小通过电流大也会烧伤。