mos管crss（mos管Crss）

发布时间：2023-06-12

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1、有源晶振，即石英晶体振荡器。只需要将Vcc与地引脚接通电源，然后在输出端连接频率计和示波器，就可以测量了。无源晶振，即石英晶体谐振器。测量方法有三。

2、石英晶振：即所谓石英晶体谐振器(无源晶振)和石英晶体振荡器(有源晶振)的统称。一般的概念中把晶振就等同于谐振器理解了，振荡器就是通常所指钟振。

3、你说的是直插式的封装还是贴片式的封装呢。直插式的有分圆柱表晶系列，49S直插式，陶瓷系列。

mos管crss（mos管Crss）

实际使用的时候，要想使其可靠截止，尽可能将VGS保持0或反向电压，即N沟道，VGS≤0V，P沟道≥0V。

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。

N60除上述参数外，还有电极间电容（MOS管三个电极之间的电容，数值越小管子的性能越好）、高频参数等参数。

MOS管导通时栅极电压是5伏左右。20伏是极限电压。

电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

一般mos管的饱和电压在10v，也有3-5v的，同一个mos管通过不同的电流栅极电压也不同的。mos管它的极间电容比较大，为了使mos管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。

，pwm电路占空比过大，有可能到0.9了。2，MOS管已经损坏，直接导通。

假定那个开关（三极管或者mos管）已经断开了很长时间，所有的元件都处于理想状态，电容电压等于输入电压。下面要分充电和放电两个部分来说明这个电路。

驱动频率过高，G极驱动电压不够，通过漏极和源极的Id电流太高。buckboost电路mos管发热原因是驱动频率过高，G极驱动电压不够，通过漏极和源极的Id电流太高，重要的是进行正确的测试，才能发现问题所在。

过流原因可能有：1：触发脉冲的占空比太大由Uo=Ui*T/Toff当触发脉冲的占空比过大时所以有启动时输出已经过压的可能从而导致负载过流。

电感充电迅速完成，之后管子没有关断导致电感成了直流电阻负载，消耗电能并导致MOS发热。如果频率高的话可以缓解这种状况，但是增加电感量是根本。

1、Tf：下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。

2、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

3、Gate threshold voltage：门极驱动电压 min：1 最小值，2，1V typ：3 典型值，3V max：3，9V 最大值，9V 也就是说，1~9V都可以驱动门极。 3V是典型值，也就是推荐值。