mos管的串联（mos管并联使用）

发布时间：2023-06-12

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1、上管的浮动驱动高压必须低于下管的VDS耐压值，否则下管电应力会超标。虽然原理上讲可以使用更多的mosfet串接起来达到更高的工作电压，但实际产品通常只有两只串联的。

2、PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。

3、mos管串联和并联的区别在于电路中mos管的连接方式不同。串联指多个mos管的源极和漏极依次相连，而并联则是多个mos管的源极和漏极同时相连。

4、较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。

5、在5V时，Q4Q45截止，两个mos管的G端电压为0，他们也同时截止，D37与D39就呈现断路状态；注意D3D39电压不能低于40V，否则mos管VGS过高，会对管子有损伤。也不能高于50V，否则无法正常开通。

1、所以就用mos管代替二极管。但是mos管有一个问题，就是内部集成了一个续流二极管，你分析一下电路就知道了，如果只用一个pmos的话，5v的电压会经过mos管直接流进锂电池中。

2、MOS管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

3、用两个二极管反向并联——若是理想二极管，则反向并联后相当于一个小电阻。

晶闸管，又称可控硅（单向scr、双向bcr）是一种4层的（pnpn）三端器件。在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。在这里，介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。锁存器电路。

光耦可控硅工作原理光耦可控硅是一种可以控制电流的电子元件，它由一个可控硅和一个光耦合器组成。可控硅是一种可以控制电流的电子元件，它由一个可控硅和一个光耦合器组成。

当光耦二极管有电流流过时，光耦的可控硅导通，当R3上的电压达到外可控硅导通电压时，外可控硅导通。电阻R2是分压电阻，防止光耦的可控硅导通时，电压过高，把外可控硅的控制端打坏。

由于光耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件。

不是同一种元件，并且两者是不能相互替换的。

1、你看一下MOS工作的时候有没有输入电流，如果有，说明MOS管没有坏；如果没有电流，直接换管子。

2、这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时，此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。

3、MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。

mos管的串联（mos管并联使用）