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电压。光电导增益与光电导材料上所加电压成正比，与材料长度平方成反比，减小材料长度可以提高增益。光电导灵敏度是指一定的光照条件下所产生的光电流的大小，与材料的光生载流子数目及电极之间的距离有关。
电流放大倍数表征了光电倍增管的增益特性，他不但与倍增级材料的二次电子发射系数有关而且还与光电倍增管的级数有关。
光照射前后半导体电导的改变与光的波长、强度以及半导体中杂质缺陷态的能级位置密切相关。
。光电导效应对应的器件是光电导探测器，包括异质结靶光电导摄像管、视像管、硅靶摄像管等；2。光生伏特效应对应的器件主要是光伏探测器，包括光电池、光电三极管等；3。
光电效应有外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三种。基于外光电效应的光电元件有光电管、光电倍增管等；基于内光电效应的光电元件有光敏电阻、光敏晶体管等；基于光生伏特效应的光电元件有光电池等。
最重要的内光电效应是光电导，本征光电导体吸收一个光 子，就会从价带激发到导带，产生一个自由电子，同时在价带产生一个空穴。对材料施加的电场导致了电子和空穴都通过材料传输并随之在探测器的电路中产生电 流。
光电子发射：现在常用的半导体发光材料基本上都可以属于这一类，常见的元器件有LED（发光二极管）。光电导效应：光敏电阻。
它常被应用于微波领域的振荡电路中。优质国内供应商有OTRON品牌。其他详细介绍每个模块包括一个光电探测器(快速光电二极管或雪崩光电二极管)和一个互阻抗放大器。
因此，从工作状态来说，雪崩光电二极管实际上是工作于接近（但没有达到）雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。
雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。
解 释： 激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。
③过剩噪声因子F，在倍增过程中，噪声电流比信号电流增长快，用F表示雪崩过程引起的噪声附加F≈Mx。式中x称过剩噪声指数。要选择合适的M值，才能获得最佳信噪比，使系统达到最高灵敏度。
PIN光电二极管 优点在于响应度高响应速度快，频带也较宽工作电压低，偏置电路简单在反偏压下可承受较高的反向电压，而缺点在于I层电阻很大管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。
光电倍增管是一种真空器件，它由光电发射阴极（光阴极）和聚焦电极、电子倍增极及电子收集极（阳极）等组成。典型的光电倍增管按入射光接收方式可分为端窗式和侧窗式两种类型。
光电倍增管广泛地应用在冶金、电子、机械、化工、地质、医疗、核工业、天文和宇宙空间研究等领域。
硅光电倍增管 (SiPM) 传感器的型号是分很多种的，安森美半导体比较常见的型号有C系列、J系列、R系列等，其中RB系列SiPM传感器是R系列的最新版本，与之前的RA系列SiPM传感器相比，可提供更高的光子探测效率和更低的串扰。
原理：普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只有微弱的反向电流可以流过。在设计和制造光电二极管时，PN结的面积应该比较大，以便接收入射光。光电二极管在反向电压的作用下工作。没有光线时，反向电流极弱，称为暗电流。
光电二极管工作原理 普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。
光电二极管(photodiode)是一种能够将光能转换成电能的器件。它由一个半导体材料制成，在其中具有p型和n型半导体区域。
光电二极管，是一种进行光电转换的二极管，其工作原理如下：光电二极管工作在反向电压作用下，我们将无光照时极微弱的反向电流称为暗电流，将有光照时迅速增至几十微安的反向电流称为光电流。
工作原理 在上述的光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。
光电管原理是光电效应。它一种是半导体材料类型的光电管，它的工作原理：光电二极管又叫光敏二极管，是利用半导体的光敏特性制造的光接受器件。
关键词：电阻 具有内增益的光电器件 二极管是一种 光电器件 光电三极管 二极管的 雪崩光电二极管 发光二极管 光电二极管 检测二极管
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