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1、肖特基二极管与普通二极管区别如下:正向压降数值不同:直接用数字万用表测(小电流)普通二极管在0.5V以上,肖特基二极管在0.3V以下,大电流时普通二极管在0.8V左右,肖特基二极管在0.5V以下;SR350 就是表示3A50V。
2、所以肖特基二极管与普通二极管明显的区别如下:肖特基二极管的反向恢复时间比普通二极管短,所以工作频率更高。肖特基二极管的反向耐压比普通二极管低,一般低于200V。肖特基二极管的正向压降比普通二极管低,因此功耗低。
3、肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒,以产生整流的效果,和普通二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低,而且可以提高切换的速度。
4、肖特基二管具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,最高仅约100V,以致于限制了其应用范围。
肖特基二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。
它的主要工作原理是:肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
肖特基二极管工作原理肖特基二极管是一种半导体器件,它由一个p型半导体和一个n型半导体组成。p型半导体中含有负离子,而n型半导体中含有正离子。
肖特基二极管的作用 肖特基二极管,是一种低功耗,超高速半导体器件。最显着的特点是反向恢复时间非常短(可以短至几纳秒),而正向压降仅为0.4V左右。
肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,最高仅约100V,以致于限制了其应用范围。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 SBD的主要特点包括两个方面: 1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
肖特基(Schottky)二极管的最大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。
肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。
肖特基二极管,是一种低功耗,超高速半导体器件。最显着的特点是反向恢复时间非常短(可以短至几纳秒),而正向压降仅为0.4V左右。
肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。
肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为型半导体。
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