三极管击穿（3极管击穿后的电阻是多少）

发布时间：2023-06-13

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1、其一集电极最大允许电流ICM，使用晶体不得超过此电流值；其二集电极—发射极击穿电压BUceo，即基极开路时，加于集电极与发射极的最大允许电压。否则导致管子击穿。

2、问题四：为什么基极电流过大，三极管会击穿？憨常情况下基极电流与三极管的击穿关系不大，三极管的击穿主要是PN结的反向电压过高，超出了三极管的耐受能力。基极电流过大会引起的是功耗过大导致NP结过热烧毁。

3、电流大，可能会烧毁，击穿是指电压高才会发生的。

4、不是的，基极电流大伴随着基极电压上升，基极电压达到一定数值以后，三极管饱和导通，你说的那是在线性放大区，到了饱和区，基本上电流再大也不会使集电极到发射极有多大变化了。

5、三极管的击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象。击穿时PN结的温度上升，如果还没有破坏PN结的结构，则造成击穿的条件去除后，PN结的功能能够得到恢复或部分恢复，就可认为不是硬击穿或称为软击穿。

6、基极偏流过大会降低晶体管的关断速度，增加晶体管的功耗。偏流过大可以这么认为，基极电流超过了使晶体管开通并进入饱和状态时的集电极电流与放大系数之比的10倍。

1、发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。

2、三极管击穿分为电压击穿和热击穿等，三极管PN结、CE之间正反向都有一定的耐压值，超过其额定的耐压值，三极管被击穿损坏；三极管还有最大额定功率，当内部电流超过额定电流时候，会发生热击穿。

3、三极管的击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象。击穿时PN结的温度上升，如果还没有破坏PN结的结构，则造成击穿的条件去除后，PN结的功能能够得到恢复或部分恢复，就可认为不是硬击穿或称为软击穿。

三极管击穿（3极管击穿后的电阻是多少）

发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。

否则导致管子击穿。其三集电极最大允许耗散功率PM，由于集电极电流在集电极产生热量，使结温升高，超过这一功耗，晶体管可能损坏。

引起发射极击穿的原因，只有负偏压较高这一种。对NPN型管来讲，当晶体管处于放大工作时，晶体管的发射极-基极之间，应该是正偏（基极电位高于发射极），如果出现基极电位比发射极低，我们就会认为，此晶体管“反偏了”。

基极电流过大，三极管会击穿的原因是：集电极电流是基极的β倍，β=50。因为基极电流增大，那么集电极电流也会瞬间50倍的增大，使得PN结承压也瞬间增大，三极管就会被击穿。基极是半导体三极管的电极。

三极管击穿分为高压击穿和热击穿等，三极管PN结、CE之间正反向都有一定的耐压值，超过其耐压值，三极管被击穿（短路或断路）；三极管还有最高工作温度，当工作温度高于此值时，发生热击穿。

当R变小或者三极管击穿短路时会导致集电极电流突然增大，一般情况下不会恢复正常。

关机后电容失去外加电压，自然放电完毕后电解质可暂时复原，容量也可恢复正常。在一些特定的情况下三极管的特性变坏，比如电压比较高时（还没到真正的击穿电压），或温度较高等等。

实际上早已经说明了普通二极管反向击穿后只要有限流措施，是不会损坏的。三极管集电极到发射极之间一旦超压击穿就会损坏，可能与其基区特别薄的特别结构等因素有关，还有与晶体管发射结特别娇气也可能不无关系。

一般的双极型三极管不具有这种特性，基极电压一撤去，管子即刻由导通变为截止。顺便说一下，可控硅具有上述特性，只要其导通，即使撤去控制电压，其仍然是导通的。只有撤去电源或电源电压降到一定值才会截止。

pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。