三极管符号网名（3极管符号）

发布时间：2023-05-14

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本文目录一览：

1、三极管所以种类和表示符号
2、三极管符号是什么？
3、三极管两种类型，即两种图形符号。及名称。
4、三极管的文字符号是什么？
5、三极管的符号是什么？
6、三极管的符号是怎么样的？

三极管所以种类和表示符号

半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。弊清其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。

三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。

电子制作中常用的三极管有90××系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低镇卜辩噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。

在老式的电子产品中还能见3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则,电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。符号的第一部分“3”表示三极管。

符号的第二部分表示器件的材料和结构:A——PNP型锗材料御缺;B——NPN型锗材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。符号的第三部分表示功能:U——光电管;K——开关管;X——低频小功率管;G——高频小功率管;D——低频大功率管;A——高频大功率管。另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。

三极管符号是什么？

三极管的文字符号国外缺闭一般用宇母QR或Q表示,在国内一般用VT或V表示。

电子制作中常用的三极管有90××系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。

工作状态

截止状态

当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

放大状态

当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰行扮闭当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

饱和导通

当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当档裂基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。

三极管两种类型，即两种图形符号。及名称。

三极管有两种管型（NPN型、PNP型），三个电极（集电极C、发射极E、基极B）电路符号如图2-3所示。

晶罩棚体三极管顾名思义有三物颂则个电极，二极管的核心部分是由一个单独PN结构成的，而三极管的核心部分是由两个联系着的PN结构成。两个PN结将整个硅片分成掺杂方式不同樱扮的三个区域，即集电区、基区和发射区。

三极管符号网名（3极管符号）

三极管的文字符号是什么？

三极管的文字符号国外一般用宇母QR或Q表示，在国内一般用VT或V表示。

三极管参数中文字符号英文对照

Pcm 集电极最大耗散功率

Icm 集电极最大允许电流

V(br)cbo 发射极开路时，集电极与基极间反向击穿电压

V(br)ceo 基极开路时，集电极与发射极间反向击穿电压

V(br)ebo 集电极开路时，厅缓发射极与基极间反向击穿电压

Icbo 发射极开路时，集电极与基极间反向漏电流

扩展资料：

工作原理

理论原理

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管，它是由2块N型半导体扮孙模中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为凯毁发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。

在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。

三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。

参考资料来源：百度百科-三极管