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1、二极管是单相导通的,有电阻,可以用万用表电阻档进行测量。表笔正负极分别连接二极管的两端,一边导通但有一定的电阻,另一端则是不导通的才是好的。
2、二极管有电阻。由于二极管是非线性器件,其电阻还分正向电阻和反向两大类,测量方法也不尽相同。正向电阻可用万用电表检测。数字万用电表采用专用二极管检测当检测,检测数值一般为几百欧姆。
3、内阻即导通时电阻,用万用表即可测量。外阻即截止时电阻,一般只测其所承受的最高截止电压。
楼上说的非常好!补充一条:还和温度有关,温度高则阻值趋向减小。不论温度升高还是电流加大,其电阻减小都是一定程度的减小,不会无限减小下去。温度和电流上升到一定程度,二极管就坏掉了。
二极管伏安的正向特性,理想的二极管,正向电流和电压成指数关系。 但是实际的二极管,加正向电压的时候,需要克服PN结内电压,所以电压要大于内电压时,才会出现电流。这个最小电压称作开启电压。
当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
如果测得的反向电阻很小,说明二极管内部短路;若正向电阻很大,则说明管子内部断路。在这两种情况下二极管就需报废。半导体二极管属于非线性器件,并且还分为截止区和导通区。其电阻也会随外电压的变化而变化。
理论上二极管具有单向导电性:解释为,正向导电电阻为零,反向导电电阻无穷大。
简单通俗地说,二极管的PN结是单向导通的,因为在P区和N区的界面附近有一个区域叫做空间电荷区,在这个区域内存在一个电场阻碍电流通过。
二极管电阻是非线性电阻。我们知道线性电阻两端加的电压是和电流成正比关系,则电流加大线性电阻两端加的电压随之也变大,电流减小则线性电阻两端加的电压随之减小。二极管反而是正向电流再增大二极管的非线性电阻此时此时在变小。
电子技术里面运用二极管就是利用了二极管的特征,就是具有单向导电性,正向电阻越小,导电能力越好,反向电阻越大,导电能力越弱,故。。电流能通过时称正向,不能通过时称反向。
二极管的导通电阻很小,如果外加的电压很大,则会形成很大的电流,超过二极管的额定工作电流。一楼有个问题没说,当电流增大之后,产生的热量增加,会导致二极管PN结的结温上升。
你所说“二极管的电阻”应该是二极管在正向导电时的“电阻”,准确说由于它的非线性不能简单地称为电阻。
二极管正向导通时,它的正向电阻r =(正向压降v)/(正向电流i),其中,正向压降v 在二极管正向导通时基本不变(硅管约0.7v;锗管约0.2v)。所以,它的正向电阻r 不是不变的,它与正向电流i 的大小有关。
二极管的正反向电阻根据材料有所不同,有大有小但一般来说反向电阻的阻值都会在300kΩ~无穷大,而一般正向电阻则会比反向电阻小100倍以上。例如:小功率锗二极管的正向电阻为300Ω~500Ω,硅工极管为lkΩ或更大些。
发光二极管的正向电阻应小于50Ω-80Ω;反向电阻应大于400kΩ。二极管正向电阻的大小还和正向电流的大小相关,当二极管的正向电流在变化时,二极管的正向电阻将随之微小变化,正向电流越大,正向电阻越小,反之则越大。
锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
二极管为非线性元件,其阻值是不固定的,在一般的检测中,锗材料二极管的正向电阻值约为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。
二极管正向电阻很小,接近于零,相当于开关闭合;反向电阻无穷大, 相当于开关断开。
答案:二极管有电阻。由于二极管是非线性器件,其电阻还分正向电阻和反向两大类,测量方法也不尽相同。方法:正向电阻可用万用电表检测。数字万用电表采用专用二极管检测当检测,检测数值一般为几百欧姆。
二极管有电阻。由于二极管是非线性器件,其电阻还分正向电阻和反向两大类,测量方法也不尽相同。正向电阻可用万用电表检测。数字万用电表采用专用二极管检测当检测,检测数值一般为几百欧姆。
内阻即导通时电阻,用万用表即可测量。外阻即截止时电阻,一般只测其所承受的最高截止电压。
发光二极管是非线性元件。所以无法测量电阻。而且发光二极管是电压性器件。其等效电阻很小。如果你一定要测也可以用伏安法,测量给定电流下的端电压。计算出等效电阻。
一般根据二极管的特性来测量,用万用表电阻档测也可以。
如果测得的反向电阻很小,说明二极管内部短路;若正向电阻很大,则说明管子内部断路。在这两种情况下二极管就需报废。半导体二极管属于非线性器件,并且还分为截止区和导通区。其电阻也会随外电压的变化而变化。
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