较高频率开关控制的器件（高频开关的特点）

发布时间：2023-06-13

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IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。

IGBT输入电容要比MOS大，因此需要更大电压驱动功率，mosfet一般在高频且低压的场合应用，即功率＜1000W及开关频率＞100kHZ，而IGBT在低频率高功率的场合表现较好。

常用全控型电力电子器件：门极可关断晶闸管。电压控制型器件：电力晶体管、绝缘栅双极晶体管。电流控制型器件：电力场效应晶体管。单相桥式整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为sqrt(2)U/2和sqrt(2)U。

较高频率开关控制的器件（高频开关的特点）

双极结型晶体管。大功率执行器常用开关控制器件是双极结型晶体管，双极结型晶体管电器开关是我们日常生活中常见的东西，是我们现在的生活不可或缺的。

典型的大功率器件包括大功率二极管、晶闸管SCR、双极型功率晶体管IGBT、功率晶体管GTR、IGCT、GTO、ETO、SIT等，900V以上的mosfet也可称为大功率器件，但是要看相应的电流等级。

电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。

1、IGBT和晶闸管功能是不同的，IGBT是可关断的，晶闸管只能在电流过零时可关断，工作频率IGBT也比晶闸管高，应该说IGBT比晶闸管有更强的功能。要说那个更好用要看用在什么场合。

2、IGBT是电压型开关器件，晶闸管是电流型开关器件{晶闸管用在交流是自然关断，用在直流需要可关断型器件}。

3、IGBT 串联感应加热设备在负载谐振频率随加热过程不断变化时，控制电路即使未能跟踪其频率变化，也只会造成负载功率因数的变化，不会发生停振或逆变颠覆等故障。

4、可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。