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因此,正激式变压器开关电源要求调控占空比的误差信号幅度比较高,误差信号放大器的增益和动态范围也比较大。
正激式开关电源缺点:需要增加反电动势绕组,或拓补驱动,次级多加1个整流电感,成本高。反激式开关电源缺点:开关管承受电压高,输出变压器利用率低,不适合作大功率电源 EMI比较大。
单端正激式开关电源原理简述:电路原理框图如上所示。这种电路在形式上与单端反激式电路相似,但工作原理不太相同。
正激:在初级开关管导通时向次级传送能量 反激:在初级开关管关闭时向次级传送能量 最近遇到一个电气知识都蛮齐全的地方,建议你可以去看看。可以查一下 浙江埃莫森电气 。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
肖特基二极管多用作高频、大电流整流二极管、低压、续流二极管、保护二极管、小信号检波二极管、微波通信等电路中作整流二极管等处使用。肖特基二极管在通信电源、变频器等中比较常见。
应该是肖特基二极管,在三极管截止时对高电平的上升沿起加速作用,并且提高输出电压值,二极管正向电压只有 0.2V。
首先MOS管是四端器件,栅源漏衬,一般源衬短接。
这是一个电机驱动电路,MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管,在其栅极施加正电压将形成导电沟道,MOS管的漏-源极呈现低阻状态,相当于开关接通,电机转动。
Q83为P沟道MOS管,Q84为N沟道MOS管。RELAY1_SET_N为3V时Q83截止,Q84导通;RELAY1_SET_N为0V时Q83导通,Q84截止。
有个笔误,Q3门极电压012--Q3门极电压12V。这里黙认场效应管的门极开启电压(绝对值)是大于1V且小于11V,即门极在电源电压的高、低电平范围内能使沟道导通或截止、实现逻辑动作,比如是2V。
饱和导通或截止。所以,Q1输入低电平时,Q3也是低电平输入,则Q3 P沟道场效应管会导通,那么Q4 N沟道场效应管的栅极就处于高电平状态,应该会导通。
D5和D8应该是稳压管,P0.1是控制输出的,运放是过电压保护的,P0.2检测是否过压保护电路动作,只是我分析的情况,可能水平有限有分析错误的地方谅解。
BK表示控制照明变压器,如BK-500VA表示变压器容量为500VA。变压器在电气设备中用作控制回路,以及用作信号灯、指示灯和低压安全灯电源;BF断路器品牌型号。如断路器BFM6/1P,表示该断路器是1P的。
老BK是天津话的方言,贬义词,羞辱他人的一个代词,用于第二人称和第三人称。天津话BK全称是B(读一声),K(读轻声),要用天津方言讲,这样讲比较形象一些,意思类似于:狗娘养的一系列。
BK-100VA是变压器的视在功率为100W附近,BK是变压器的旧符号,新符号为TC。
电芯电压是否属于正常情况。如果以上的电压都不正常,我们就基本可以判断保护IC或者MOS管已经损坏,此时要进行这两种部件的更换就可以了。
过充保护:在给产品充电时,电压达到电池最高电压(2V)时,保护板就会自动断电关闭,显示充满不在继续充电了。形成的一种过充保护作用。
1、相当于快恢复的二极管 ,应为MOS管的工作频率比较高,所以它里面的体二极管工作频率也要高,所以相当于是快恢复二极管。
2、MOSFET的反并二极管,是一个普通二极管!且只能当作普通二极管使用。boost电路,一般要选用开关二极管,快恢复型二极管。BOOST电路,使用普通二极管,输入电流肯定要上升一倍多,这是因为普通二极管,反向恢复速度很慢的原因。
3、快恢复二极管压降比较大比如0.7V,MOS管里寄生那个好像压降小一些。另外用MOS管代替二极管,MOS管要同步开关,就是同步整流器,你的同步信号如何得到呢。
4、可以,一般寄生二极管可通过的电流为MOSFET本身可以通过的电流。只不过他的压降会大一些,反向恢复时间会长一些,如果频率不高的话,还是没有问题的。
5、从而避免MOS管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性,主要是其保护作用,G,S间的寄生电容较小,通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压,所以通常会在G-S之间加上TVS,防止G-S击穿。
6、这两个钳位二极管并不是芯片外实体二极管,是集成电路制造工艺导致的寄生二极管,普通MOSFET中也有这样的寄生二极管。
mos管坏了不可以直接短接,通过MOS管实现一定功能,比如稳压,通断功能,如果短接电源直接跨过MOS管,所有功能失效,会损坏设备。mos管是由输出信号控制的开关管,启动稳压的作用,如果短接就没有反馈控制导致电路烧毁。
呵呵,其实楼主看看MOS的结构图就清楚了,比如对于NMOS来说,是做在P型衬底上的,它的D和S都是N型的,中间的沟道就是P型的,这就形成了NPN结构。在CMOS电路中,有个很重要的闩锁效应就是这个寄生NPN三极管的导通。
场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。
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