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一、无论是二极管还是三极管中的P和N分别P型半导体和N型半导体。
半导体( semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算冲森机、移动电话或是数字录音高渣机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。
本征半导体:不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。
P型半导体散念亩:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。
N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。
二、对于二极管
可分正负极,P区为其正极,N区为其负极
三、对于三极管
不能分为正、负极,
它分为三区、两结、三极
三区:基区、发射区和集电区
两结:发射结和集电结
三极:基极、发射极和集电极
按结构材料分为NPN型和PNP型。
n管没有保质期。
PNP型晶体管,俗称n管,是由2块P型半导体中间夹着一块N型半导体所唤薯组成的三极管。其作用是电流从发射极E流入的三极管,特点为发射极电位最高,集电极电位最低。
三极管按结构上分,可以分为n型管和p型管。
n管截止区:笑清当三极管b极无电流,三极管工作在截止状态。截止所需要的电压条件为发射结电压ueb<0.7V。
n管放大区:满足放大电压条件为发射极加正向电压,集电极加反向电压,ueb=0.7V。
n管饱和区:满足饱和,的电压条件是发射结和,集电结均处于正向电压:ueb>和升者0.7V。
从结构上看,PNP型三极管的集电区和发射区是P型半导体,中间的基区做做是N型半导体,而NPN管的集电区和发射区是N型半导体,中间含蠢的基区是P型半导体。
从使用上看,PNP关工作时,发射极接高电压,集电极接低电压,而NPN管工作时,发射极接低电压,集电极接高电压。
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集纯老衡电区,排列方式有PNP和NPN两种。
电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译,这是和电子三极管最早出现有关系的,所以先入为主,也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西,实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的,否则就麻烦大咯,严谨地说,在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇!
电子三极管 Triode (俗称电子管的一种)
双极型晶体管 BJT (Bipolar Junction Transistor)
J型场效应管 Junction gate FET(Field Effect Transistor)
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称
V型槽场效应管 VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor )
三极管类型的判别:
三极管只有两种类型,即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。
当用多用电表R×1k挡时,黑表笔代表电源正极,如果黑表笔接基极时导通,则说明三极管的基极为P型材料,三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通,则说明三极管基极为N型材料,三极管即为PNP型。
三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
扩展资料:
在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量。
一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(誉颤空穴)穗闹很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流子。
电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,猜虚罩渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。
参考资料来源:百度百科--三极管
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