光耦参数（pc817光耦参数）

发布时间：2023-06-14

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1、这个芯片的型号是 PC123，它是一个4脚的光耦，从芯片的正面看，也就是你的图片中的左上角的黑点是1脚，1脚下面是2脚。

2、一般的光耦在发射端用数字表的二极管档量，指表表的电阻档电压5v，不能达到发光管的导通电压，也可以用二节电池，串个约300欧左右的限流电阻加在发射端，用万用表测接受端的电阻，如果是好的，电阻会下降很多。

3、反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。

4、采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。

光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。可控硅型光耦还有一种光耦是可控硅型光耦。

计算方法没有见过有这方面的说明，私下认为那个限流电阻甚至直接短路的话也可以工作，因为触发导通的过程历时非常非常短暂，一旦导通后这个触发电流就会被导通后的T1T2脚间的电流所屏蔽，电流就走这个捷径了。

光耦的导通电压是0.7v左右。因为光耦的工作部件是一个发光二级管，他的导通电压跟一般的二极管是相同的。光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

欧电阻是防止误触发可控硅的。可控硅触发电流是在T1和G脚间，负半周时你再分析一下怎么可能通过360欧在T1和G脚间形成触发电流。

1、光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

2、光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。

3、光耦817B导通电流最小是130mA，最大是260mA，正向压降为6V，最大耐压为35V。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

光耦参数（pc817光耦参数）