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1. 功率是 1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout))) *F(Hz)。
2. 钳位电压一般选择为唯族反射电压的1.4倍左右
选取电阻和电容时,应先估算几个参量,匝比,初级峰值电流,钳位电压,另外有些参数不可忽略如次级整流管压降,变压器二次侧漏感(尤其匝指橡弊比比较大的时候)。有了这些参数之后,基本可以计算电阻了,P=V^2/R即可,选择一个纹波电压值Vr,如选为钳位电压的10%,C=I*T/Vr即可。
初步选定后,整机再做调整,即可得到合适的参数。离线式的反激电源,100K左右的频率,最终的参数一般电阻为几十千欧,电容为几纳法,否则计算的一定不合理或设计的不如灶合理。
尖峰吸收电路原理是在开关管VT截止的瞬间,其集电极上产生的反峰值电压经C1、R1构成充电回路,充电电流使尖峰电压被控制在一定范围内,以免开关管被击穿。当C1充电结束后,C1通过开关变和蚂压器T的初级绕组、300V滤波电容地、R1构成放电回路。因此,当R1取值小时,虽然利2,对凯段尖峰电压的吸收,但增大了开关管的开启损耗。
尖峰吸收电路的讲解
开关电源中在开关管截止的瞬间,会在开关变压器初级感应唤孙埋出一个反向高脉冲电压,容易损坏开关管。为此在变压器初级并联一个由高压电容和快恢复二极管组成的脉冲吸收回路,给这个反向高脉冲电压提供一个放点通路,保护开关管。这个回路就叫尖峰吸收回路。
电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小,同时也会引起效率下降。峰峰值和过电压的尖峰不是一回事。
在开关电源中,通常的设计会在MOS管的漏极或者IGBT的C如你所说的加电阻并二极管(应该还要串一电容)至电源的正极。此电路是缓冲电路,吸收电路尖峰,避免开关过程中产生的高压尖峰击穿开关管导致损坏。在不同的开关电源中的接法也略有不同,如单端反激式的就如你所说掘让是亮梁从漏极接到电源正,而在全桥移相电路里上半桥本身就是接电源正极的,所以上半桥是电源正极加电判键局阻反串二极管接到桥点即上管的源极,而下半桥是漏极加反向二极管串电阻接至电源的负极,同时还有电容连接。同时利用电容的能量来达到导通瞬间和判断瞬间能量的释放和吸收,减少对开关管的冲击。
有尖峰有可能是吸收电路中C偏小了。
RCD电路参数设计网上都有,根据需要自己看吧。还有一个问题,开关频率越高,尖刺也就会越高,如果没颂手有硬性要求,可以把开关频率降一降。另外,负载处除了主要的电解电容,可以加一些钽大樱散电容试试。顺便说一下,光耦牵扯一个反逻辑滚氏的问题,不知道你注意了没有,如果没有在后面的驱动处最好做一下修正。
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