mos管增强型耗尽型（mos管增强型耗尽型）

发布时间：2023-06-14

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增强型场效应管和耗尽型场效应管的区别如下：工作方式不同。当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型，即耗尽型场效应管。

原理不同。最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。控制方法不同。（1）、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。

增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在。也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在。也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。

最简单的一个差别：所谓的增强还是耗尽，主要是指MOS管内的反型层。如果在不通电情况下，反型层不存在，电压加到一定程度后，反型层才出现，这个就是增强。

用N沟来说吧，如果G高于S时候导通（比如VGS=3V）那就是增强型的，如果G低于S时候就可以导通，那就是耗尽型的。用万用表测量，如果GS短路时候DS导通了，那就是耗尽的。

增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而―增强了该区域的载流子，形成导电沟道。

mos管增强型耗尽型（mos管增强型耗尽型）

指代不同耗尽型：即在0栅偏压时就能够导电的器件。增强型：即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。

工作方式不同。当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型，即耗尽型场效应管。当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型，即增强型场效应管。

简单来说，增强型MOS，VGS=0时，不导通，加上正向的VGS后才导通。耗尽型MOS，VGS=0时，也导通，其他特性好像是一样的。我们一般使用的都是增强型MOS。选择MOS管，首先要考虑VGS，VDS电压。漏源级电流ID。

耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在。也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。通过改变有源区的掺杂浓度，控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料，可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET。

关键词：mos管