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通过对实验箱上结型场效应管的测试认识N沟道J EET场效应管的电压放大特性和开关特性。
结型场效应管电压放大倍数。放大倍数AV是输入输出电阻决定了得出的。如输入电阻Ri=7M，RD=5K。放大倍数应为AV=7X5=-35gmK。
估测场效应管的放大能力 将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。
放大倍数，不同的电路图，求法不同。有一种电路放大倍数=跨导*Rd；还有一种=Rd/Rs。具体情况你可以看一下小日本写的《晶体管电路设计（下）》，书写的非常好，简单易懂。
mos管焊机倍压5-3倍之间。焊接时需要产生足够的热量来熔化焊接材料，同时又不能过度加热，以免烧穿或损坏焊接材料，倍压过小会导致焊接不牢固，焊接点容易断裂；倍压过大则会导致焊接点过热，甚至烧穿焊接材料。
1、MOS管作用：用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于大功率领域。
2、因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。
3、mos管的作用如下：MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。
4、作用：可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。
5、MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
本质是：将一个微弱的交流小信号（叠加在直流工作点上），通过一个装置（核心为三极管、场效应管），得到一个波形相似（不失真），但幅值却大很多的交流大信号的输出。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
放大电路的实质就是以弱控强，即以微弱信号控制相对较强的信号。
β=ic/ib，又简称为电流放大倍数，两个电流相除，所以β没有量纲。MOS管具有放大作用的基础是电压vgs对电流id的控制作用，这个控制量是gm，定义 gm=id/vgs，电流被电压除，它的量纲应该是电导。
你的这个提法就不对，没有这样一项参数。MOS管、BJT管都没有电压放大倍数。MOS管的放大能力用gm（跨导）来表示，gm=ΔId/ΔUbe，三极管的放大能力用电流放大系数（β）来表示，β=ΔIc/ΔIb。电路才有放大倍数。
简单地讲，就是用小的电流变化，利用晶体管的线性工作区域所谓放大特性，带动大的电流变化，起到放大作用。
电阻。 MOS管放大电路的放大倍数实质上是由MOS管的输入电阻、输出电阻，以及电路中的其他元件（如电容、电感等）共同作用的结果。 MOS管可以通过调节其栅极电压来控制其输出导通状态，因此在放大电路中扮演了重要的角色。
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态。此时集电极电流很小。
判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。
应用放大电路实现放大的装置称为放大器。它的核心是电子有源器件，如电子管、晶体管等。为了实现放大，必须给放大器提供能量。常用的能源是直流电源，但有的放大器也利用高频电源作为泵浦源。
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