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1、三极管处于放大区,ube的电压在0.65v-0.7v之间。在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量。
2、三极管处于放大状态下,各级的具体电压与集电极电流和电源电压有关,但其中B极电压比E高0.6-0.7V,CE之间的压差大于1V。
3、发射结正偏、集电结反偏是三极管工作在放大状态的条件,发射结的特性曲线类似于PN结的正向特性曲线,发射结电压Ube并不是固定值。但为了简化放大电路的分析,将硅管的Ube取为固定值0.7V。
4、这时以E极为0点,测Vb=0.7V;测Vc=0.3V.那么0.7V-0.3V=0.4V(Vcb),B极电压比C极电压高0.4V这没错。只是教科书将CB间的电压说成是BC间的电压,容易让人误解。
5、先回答你的题目:做题目过程中,为了简化,一般假设这个值恒定为0.7V。实际上不是,随着BE电流增大(其实也就是基极电流Ib)UBE的电压也会适当增加,但偏差不大。
电源模块是电解电容还是陶瓷电容 (1)电解电容器和整体式电解电容器可以使用硫酸作为绝缘介质,大容量是小体积,带有+符号,通常用于低频交联和旁路滤波器中,介子损耗大。
体积很难做小,加工成本也比较高。建议用成品的小模块电源,这类电源内部的变压器经过特殊的绝缘处理,体积可以做到很小,同时能保证有足够的耐压值。如,类似于ZLG出的ZY0505HS-1W,体积可以做到16*8*15mm。
但越大的功率,体积往往也越大,成本也会大幅的增加。
国外的话recom,vicor,TDK,国内的话金升阳、明纬,周立功这些,不过建议选择国内品牌,性价比各方面好些,金升阳在国内算是数一数二的牌子。
电源输出功率愈大,电容器的体积就会愈大。在产生一般电子电路电源模块电压的电路中,只有变压器能处理高电压,其他元件选择符合所制作DC电压的额定值产品。
ce的电压:vce=vcc-ice*rc=(12-77*2k)=47(v)。
NPN管饱和时,由于be的钳位作用,那么Vbe=0.7V那是肯定的(准确地说是Veb);而NPN管饱和时C、E虽然最大限度地导通,理论上相当于开关的完全闭合。
三极管一般状态,饱和状态be间电压可认为恒定0.7v。ce之间的电压在一般状态时和饱和状态时,电压压差也应该恒定(只是饱和时和一般状态的具体值不一样,饱和时压差低一些)。
所谓放大就是基极微小的电(压)流(压)变化使集(发)电极较大的(压)电流 的变化。只是这样的变化很小,万用表显示不明显。
三极管处于放大状态下,各级的具体电压与集电极电流和电源电压有关,但其中B极电压比E高0.6-0.7V,CE之间的压差大于1V。
准确一点应该说是调节BE结的偏置电流。BE节的电压基本维持在0.7伏(硅),变化很小的。B极一般都会连接两个电阻串联的偏置电路,调节其中一个(一般是B极接地的那个)电阻。
使输出电压变化与三极管基极与发射极之间电压Ube变化发生联系,通过Ube的变化,再影响管子的内阻和管子的电流,从而保证输出电压基本不变。
一般电压是加到CE结上的。BE结上的电压大小决定三极管的工作方式,一般反偏处于振荡,正偏小于0.7V处于放大,大于0.7V处于饱合导通。第二个问题 , 这么连接首先就是不对,因为二极管的压降是0.7V左右。
硅三极管BE间的门槛电压是0.7v,锗三极管BE间的门槛电压是0.2v,而由外电路加在BE间的电压可以是动态变化的电压,当外加电压小于门槛电压值时,BE是关断的没有电流。
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