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1、这样的充电电流同常达到安A级以上,这是单片机io口所不能达到的,所以我们需要用到三极管放大信号电流从而达到快速通断mos管的效果。
2、MOS管不只能够做开关电路,也能够做仿照拓宽,因为栅极电压在必定方案内的改动会致使源漏间导通电阻的改动。
3、用三极管不如用ULN2803,一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接,简单方便。
4、为啥不把电路图给全呢?开关电源里这么用,变压器初级的三极管为了驱动变压器,变压器用于把单端驱动信号变成适合驱动推挽CMOS对管的两个相位差180度的信号。此外变压器还用作电气隔离。
5、管的两个PN 结均需 反偏;c. MOS 主要通过多子载流子导电,是“单极型”器件。而三极管的多子载流子和少子 载流子均参与导电,是“双极型”器件;d. MOS 管可以在低电流低电压下工作,因而广泛应用于半导体集成电路。
6、两种接法供参考,前一种作为开关用比较简单。后一种接法用在频率比较高的场合比较好。
主体不同 MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。三极管:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,成本问题:三极管便宜,mos管贵。功耗问题:三极管损耗大。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
但是栅极对源极和漏极一定是不导通的,mos管也一样,mos管也是场效应管的一种,只是输入阻抗更高而已。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
mos管也是三极管。我们常说的三极管其实是BJT它是电流型控制器件,用基射电流控制集射电流。他们的关系是 Ice(集射电流)=βIbe(基射电流)。
工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,\x0d\x0a成本问题:三极管便宜,mos管贵。\x0d\x0a功耗问题:三极管损耗大。\x0d\x0a驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
MOS管虽然是电压控制器件,在工作在较高频率下栅极反复充放电也是需要较大电流的,要利用三极管的开关为栅极提供充放电回路。
mos是电压型器件,栅极输入阻抗高,对电压非常敏感,只需uA级或mA级电流即可启动。而三极管的驱动电流较大,导通时间相对长,开关损耗就大。同时,mos的Rds小,压降小,自身的耗散功率就小。
MOS管为电压驱动型,只需要给电压即可,意思是即便串入一个100K的电阻,只要电压够,MOS管还是能够导通。MOS管的温度特性要比三极管好。
是大电流驱动MOS管,让MOS管快速导通,减少MOS管的开关损耗。这种电路一般用在高频开关电源上。
同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。2,宽电压应用 输入电压并不是一个固定值,它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。
为啥不把电路图给全呢?开关电源里这么用,变压器初级的三极管为了驱动变压器,变压器用于把单端驱动信号变成适合驱动推挽CMOS对管的两个相位差180度的信号。此外变压器还用作电气隔离。
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