半导体电阻率（半导体电阻率随温度）

发布时间：2023-06-14

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半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗，湿度每升高10度，它的电阻率就要减小到原来的1／2。温度的细微变化，能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。

因为在一定温度下，半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。

半导体随着温度升高，其电阻率是变小的。因为半导体材料的分子一般排列的比较有序，才导致可以用半导体材料做成二极管，具有单向导电性。随着温度的升高，分子排列的无序性变大，导电性能变好。电阻率将会减小。

以硅为例，在一定的温度范围内，半导体的电阻率随温度的升高，而变小。

温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

1、半导体的电阻率是有特殊的曲线，反向电压不导通，电阻很大。达到0.3或0.7伏正向电压，电阻很小。总之电阻随电压的变化而变化，但不能用欧姆定理计算。

2、热敏特性半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗，湿度每升高10度，它的电阻率就要减小到原来的1／2。温度的细微变化，能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。

3、半导体的四个特性：电阻率的负温度特性、光照导电效应、光伏现象、整流效应。1833年，法拉第发现了硫化银的电阻随着温度的变化而显现出的特性与一般金属不同。

4、半导体的特征：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗、硒等，它们的电阻率通常在之间。半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。

多数导体的电阻随温度的升高电阻增大，绝缘体的电阻极高，对温度的变化不明显。半导体的电阻对温度变化很敏感，因此常用于热敏电阻的制造，热敏电阻根据材料不同可以是正温度系数，也可以是负温度系数。

以硅为例，在一定的温度范围内，半导体的电阻率随温度的升高，而变小。

具有负温度系数的半导体的电阻随温度升高电阻降低。半导体受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。

不能简单地说，半导体的电阻率是温度的单调递减函数。

决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。在低温下：由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离)，而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故)，所以这时电阻率随着温度的升高而下降。

半导体导电是通过载流子进行的，载流子数量越多，导电性能越好，也就是电阻率越低。

半导体电阻率（半导体电阻率随温度）