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1、在氮气或氦气中当温度为1000℃时GaN会慢慢挥发,证明GaN在较高的温度下是稳定的,在1130℃时它的蒸气压比从焓和熵计算得到的数值低,这是由于有多聚体分子(GaN)x的存在。
2、氮化镓(GAN)是第三代半导体材料的典型代表,在T=300K时为,是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。
3、因为氮化镓具有很多独特的优势,比如说高电压、高功率、高禁带、高带宽等等,4英寸半极性氮化镓材料的量产,已经率先由利亚德参股的Saphlux公司完成了,未来发展可期啊。
4、氮化镓相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。
1、氮化镓充电器在与传统充电器提供同等功率的情况下能够做到体积更小,而在体积大小一致的情况下能够提供比传统充电器更大的功率。正是基于这些优势,氮化镓充电器才会日渐火热,受到越来越多消费者的青睐。
2、氮化镓相比传统硅基半导体,有着更加出色的击穿能力,更高的电子密度和电子迁移率,还有更高的工作温度。
3、氮化镓在关键领域比硅显示出显著的优势,这使得电源制造商能够显著提高效率。当电流流过晶体管时,开关损耗发生在开关状态的转换过程中。
4、材料不同 传统的普通充电器,它的基础材料是硅,氮化镓(GaN)被称为第三代半导体材料。相比硅,氮化镓的性能成倍提升,而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。
5、氮化镓相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。
1、之前关注利亚德的时候,刚好知道它参股的Saphlux公司氮化镓技术做的比较强,所以对氮化镓有一些了解,这种材料一般是用在半导体产品中的,具有高禁带、高电压、高功率、高带宽等特点。
2、据了解,氮化镓这种材料由于具有高禁带、高电压、高功率、高带宽等特点,用在半导体产品中,可以很好的提升产品品质,利亚德公司参股的Saphlux就能生产这种材料,相信会对利亚德的产品研发及生产提供有利条件。
3、氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一,并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平,能够应用于更小的变压器,让充电器可以有效缩小产品尺寸。
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