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MOS管的4个工作区,你说的不是很芦梁确切。
应该是可变电阻区,饱和区,击穿区,夹断区。
开关状态工作在可变电阻区(此区相当于饱和导通)和夹断区(此区相当于截止)。
放大状态工作在饱和区。
注意:MOS管的饱和区和三弯圆极管的饱和区,埋哗塌完全不是同一个概念。
MOS管的夹断区和饱和区的区别是:
1、Uds(漏源电压)和Id(漏极电流)的关困腊系不同:
夹断区的Uds增大到一定数值,Id急剧增大;当Uds增大到出现预夹断后,Id几乎不随Uds增大而增大。
2、Id的取值不同:
夹断区,当导电沟道完全被夹断时,Id≈0;饱和区Id的数值取决于Ugs(栅源电压)的大小。
3、场效应管搏消的状态不同:
夹断区也称为截止区,此时MOS(场效应管)管为截止状态;饱和区也称为放大区,MOS管用作放大元件时,都工作在这一区。
场效应晶体管简称场效应管。分为两种类型:结型场效应管和金属 - 氧化物半导体场效应管简称MOS管)。
扩展资料
场效应管的作用:基尺知
1)因为场效应管放大器的输入阻抗很高,所以耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。所以常场效应管用于放大电路。
2)因为场效应管的输入阻抗很高,所谓非常适合用作放大器输入级作阻抗变换。
3)场效应管可用于可变电阻。
4)场效应管用作恒流源。
5)场效应管用作电子开关。
参考资料来源:《电子技术基础 模拟部分》 虞光楣 主编 北京工业大学出版社
第一章 半导体器件的基本知识 1.4 场效应管
参考资料来源:百度百科--场效应管
栅极电压(Vgs)小于开通电压(VGS-右上图圆和)时处于截止区;当Vgs电压高于开通电压后,如果加在DS端的Vds电压能保证Ids受Vgs控制,就是放大区;假如Vds不能保证Ids达到Vgs所渗腔岩控制的电流就进入饱和区了;信号放大电路中晶体管工作在放大区,而用作开关时(数字丛御电路或DCDC变换)工作在截止区和饱和区。
通俗说:截止区就是不导通,放大区就是随电流的改变察梁工作点呈线性变化,饱和区就是工败薯运手迹作状态时工作点不随电流的增加而改变。
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