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mos管中，D表示漏极，S表示源极，Vds就代表漏源电压。
Vgs就是栅极对源极的电压，如果源极直接接地，栅极电压就等于Vgs。
Vds是MOS的漏极电压，Vgs是栅极电压，也称为阀值电压开启电压，是导通MOS管的一个值。
mos管vds电压计算方法：根据P=I*I*R，得出I=3A。所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞3A。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。
当Vds增加到Vds=Vgs-Vp，即Vgd=Vgs -vDS=Vp(夹断电压)时，漏极附近的耗尽层即合拢，沟道宽度为0，这种状态称为预夹断。
以NMOS场效应管为例，开始没有导电沟道，Vgs增大，就出现反型层，出现导电沟道，当Vds=0时，没有电流。当Vds慢慢增大，会使得靠近漏极的电势差减小。
mos管vds电压计算方法：根据P=I*I*R，得出I=3A。所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞3A。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。
另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。VP为夹断电压（ID=0）。
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
1、PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路 。
2、如果输出电压为12V，那么MOS管DS电压应该选择在12V以上，比如15V或者20V。如果输出电压为24V，那么MOS管DS电压应该选择在24V以上，比如30V或者40V。
3、场效应管DS可以看成一个开关，GS就是控制DS导通与关闭的，你的电路中GS端需要一个泄放电阻，D与电源间需要加一个负载电阻。
4、MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。N沟道与P沟道是不一样的。
1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
2、N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。
3、在场效应管的放大电路中，为实现电路对信号的放大作用，必须要建立偏置电路以提供合适的偏置电压，使场效应管工作在特性的恒流区。
4、可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0。n沟道耗尽型mos管的可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0，此时为截止区。vdsvgs-vtn和vgs≥vtn，此时为可变电阻区。
1、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。
2、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
3、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。
关键词：mos管
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