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1、当然可以，可加一个1K-10K的电阻，因为稳压管是起保护作用的，即在驱动电压过高时防止栅源击穿，但一般情况下不会出问题，完全可以用电阻替代。
2、RCD吸收电路，晶闸管大电流关断会产生各种干扰/尖峰，对负载、电源（EMI问题）都有影响。但是这个图不对，首先整体位置不对，RCD应该放在晶闸管强电两端。
3、可控硅G极与k之间的稳压二极管不同型号不同电压，2CW11的电压2~2CW15的电压0~5 、2DW7A的电压8~2DW7C的电压1~5。稳压二极管：稳压二极管，又叫齐纳二极管。
4、因为控制级与阳极之间的直流电阻值就是几十欧罢了，所以他们两端的电压就是相等。从这个图看，那个可控硅没有负载，没有维持电流，不能导通。{如果导通了。他们两端的电压就是零点几伏了}。
5、普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。
你的硅可以导通，说明没有问题。 那问题就只能是你的触发板（moc3083）有问题，输出达不到要求。国产的触发板经常出现这类问题。 新进的一批硅的触发条件和原来的的不一样了。
MOC3083是一种光耦合器，它用于在两个电路之间实现光隔离。它通常用于驱动半导体可控硅(SCR)或可控硅晶体管(Triac)。MOC3083包含一个光耦合器和一个固定电阻器，并通过一个隔离变压器与两个电路相连。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，条件如下：A、从关断到导通阳极电位高于是阴极电位，控制极有足够的正向电压和电流，两者缺一不可。
MOC3083当然是可控硅光耦了，它内部的发光二极管端就是可以由电路控制的，如用单片机控制。而内部光敏一端就是一个过零触发的双向可控硅，可以控制一个外部的双向可控硅，而外部的可控硅就可控制交流电路了。
过零时有触发信号才能触发过零型光藕，因此如果不能检测过零的点就需要保证触发信号有足够的宽度。
是MOC3083光耦吧？！没太大的区别，最好还是有。K与G极间的电阻，主要是为了防止光耦的漏电流误触发可控硅，其次是和二极管一起保护可控硅，避免GK这对PN结被击穿损坏。
光耦是要配双向可控硅一起来使用的，谁让你单独用光耦来控制负载啦。这种控制就不合理。
是可控硅输出型的，导通后就保持，不会断开的。
解决办法是 把Q1撤掉不用， B直接接到Q2的G级 然后把Q2换个方向接入电路：这样，当光耦导通的时候，复发电压有了，电压和T1，T2（Q2的另外两端）的方向一致，Q2便导通。
如果指针摆动，说明光耦是好的，如果不摆动，则说明光耦已损坏。万用表指针摆动偏转角度越大，表明光电转换灵敏度越高。
你的硅可以导通，说明没有问题。 那问题就只能是你的触发板（moc3083）有问题，输出达不到要求。国产的触发板经常出现这类问题。 新进的一批硅的触发条件和原来的的不一样了。
MOC3083当然是可控硅光耦了，它内部的发光二极管端就是可以由电路控制的，如用单片机控制。而内部光敏一端就是一个过零触发的双向可控硅，可以控制一个外部的双向可控硅，而外部的可控硅就可控制交流电路了。
两个发光二材条件具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通。晶闸管(可控硅)一且导通后，即使降低控制极电压或去掉控RS触发制极电压，晶闸管(可控硅)仍然导通。
可控硅导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。 可控硅的特点： 是“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，可控硅就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使可控硅导通，却不能使它关断。
可控硅是一种有源开关元件，平时它保持在非道通状态，直到由一个较少的控制信号对其触发或称“点火”使其道通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
关键词：直流电阻 稳压二极管 电阻器 光耦 半导体可控硅 可控硅 驱动可控硅 双向可控硅 电阻 固定电阻 发光二极管 可控硅光耦
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