pwm控制mos管（pwm控制mos管充电）

发布时间：2023-05-15

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使用专用PWM波输出芯片驱动MOS管的原因是，PWM波输出芯片可以提供更高的输出功率，枯察衡可以更有效地驱动MOS管，没孝从没做而提高MOS管的效率。此外，PWM波输出芯片还可以提供更精确的控制，从而更好地控制MOS管的工作状态。

MOS管的应用，达到100KHz也做贺不怕，档携就怕你用单管IGBT，普通的行胡伏只是25KHz左右，目前市场上仅英飞凌和富士量产了高频的系列，可以达到40-50KHz。

mos管的栅者唯极g比源极s高5v—10v，mos管就可以导通。PWM输出占空比可调的方波，作为驱动输入mos管的栅极g，高电平时栅极电位高与简枝源极5v就导通了；低电平时拦嫌敏栅极电位也为低电平不满足mos管导通条件，则关断。

这种接法是错误的，N沟道MOS管源极应该接地，负载接漏极，你的电路负载接在源极再接地，当栅和哪极有电压信号进来，MOS管开汪棚察始导通，马上抬高了源极电压，这样栅极和源极的压差又变小了，因困茄此管子始终只能处于半导通状态，不能正常工作。

而且栅极要对地接保护电阻或稳压二极管，因为栅极容易被静电击穿，需要卸压电阻，你这电路没有保护元件，所以很容易击穿损坏。

正确接法参考下图

MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。

PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大，将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。其常见的电路有PWM MOS管底边驱动，半桥输出、H桥输出和三相弯埋全桥输出。

常见pwm驱动mos管开关电路：只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。由于MOS管内部孝塌有寄生电容有时候为了加速电容放电，会在限流电阻反向并联一个二极管。

pwm驱动mos管这个电路提供了如下的特性：

1、用低端电压和PWM驱动高端MOS管。

2、用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。

3、gate电压的峰值限制。

4、输入和输出的电流限制。

5、通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。

6、PWM信号反相。NMOS并不需要这个埋慎蚂特性，可以通过前置一个反相器来解决。