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1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。
2、先将万用表量程开关拨在R×100或R×1k电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测量它们之间的电阻值，若测出均为几百欧低电阻时，则红表笔接触的电极为基极b，此管为PNP管。
3、第三步：如果第二步的测量正常，则表示无刷控制器基本正常，把控制器与车体线路正常连接，接通电源，拔掉制动线，用万用表电压档测量转把5V电压是否正常。若以上测试正常，表示控制器基本正常，否则可判定控制器损坏。
4、根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。
5、在上述场效应管测试框图中，SMU CH1的正极连接到FET的栅极，SMU CH2的正极连接到FET的漏极。如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量，FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。
若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。
可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
．判别其好坏 用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。
加上MOS管的开启电压很低，只有零点几伏，所以此时测量D-S间导通状态就显示导通了。如果红表笔接D，黑表笔接G，则相当于给G极施加反向电压，D-S间就截止了。
如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。（整体如图）根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。
1、用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。然后调换红黑表笔，再去测量D-S两极，则万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降（见上图）。
2、第一步：将万用表置于二极管档测量，用红表笔接控制器负极，黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线，读数约在500左右（数字万用表），三次读数应基本一致。
3、若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
4、如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。（整体如图）根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。
5、若测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。另外，还可以用触发栅极（P沟道场效应晶体管用红表笔触发，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法来判断场应管是否损坏。
6、这三根粗黄线实际上是三根相线。 做完以上准备工作后，按以下三个步骤操作，即可判断控制器好坏。
先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。
用表红笔触发栅极G有效，说明该管为P沟道场效应晶体管。2．判别其好坏 用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。
可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
加上MOS管的开启电压很低，只有零点几伏，所以此时测量D-S间导通状态就显示导通了。如果红表笔接D，黑表笔接G，则相当于给G极施加反向电压，D-S间就截止了。
用万用表测量mos管10N65的好坏——电阻测试 当MOS管的栅端没有触发脉冲时，它的漏源电阻很高。电阻测试就是利用这个属性来测试mos管10N65是否有故障。测试也很简单，只需要一个欧姆表或万用表即可执行。
万用表红黑笔不变，如果移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无穷大，则MOS管漏电，不变则完好。④最后用一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，如果指针立即返回无穷大，则MOS管完好反之为MOS管已烧坏。
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