mos管高频特性（mos管是高电平有效吗）

发布时间：2023-05-15

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本文目录一览：

1、MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件
2、mos管开关特性
3、MOS管和三极管有什么区别？
4、富满mos怎么样
5、MOS管G极串接二极管作用？

MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件

MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。

电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

电流流向：由漏极d流向源极s。

沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅敏茄孙极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区纳谈的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生桥链漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。

MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。

P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。

mos管开关特性

MOS管的开关特性：

MOS管最显著的特点也是具有放大能力。不过它是通过栅极电压uGS控制其工作状态的，是一种具有放大特性的由电压uGS控制的开关元件。

1、静态特性

MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

2、漏极特性

反映漏极电流iD和漏极-源极间电压uDS之间关系的曲线族叫做漏极特性曲线，简称为漏极特性，也就是表示函数 iD=f(uDS)|uGS的几何图形，当uGS为零或很小时，由于漏极D和源极S之间是两个背靠背的PN结，即使在漏极加上正电压（uDS0V），MOS管中也不会有电流，也即管子处在截止状态。

3、转移特性

反映漏极电流iD和栅源电压uGS关系的曲线叫做转移特性曲线，简称为转移特性，也就是表示函数 iD=f(uGS)|uDS的几何图形。当uGSUTN时，MOS管是截止的。当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转敬敬陪移特性曲线的斜率跨导gm来表示。

4、P沟道增强型MOS管

上面讲的是N沟道增强型MOS管。对于P沟道增强型MOS管，无论是结构、符号，还是特性曲线，与N沟道增强型MOS管都有着明显的对偶关系。其衬底是N型硅，漏极和源极是两个P+区，而且它的uGS、uDS极性都是负的，开启电压UTP也是负值。

拓展资料：

MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。

PMOS的开关特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使亮蠢用N沟道MOS管。

NMOS的开关特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通稿裤时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。

mos管高频特性（mos管是高电平有效吗）

MOS管和三极管有什么区别？

区别：

1、载流子：

三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载埋行流子参与。

MOS管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子

2、配运成本：三极管便宜，MOS管贵

3、损耗：三极管损耗大，MOS管损耗小

4、驱动能培液梁力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路

5、速度：MOS管开关速度不高，三极管开关速度高

6、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制

7、阻抗：三极管输入阻抗小，MOS管输入阻抗大。

8、频率特性：MOS管的频率特性不如三极管。

扩展资料

三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

MOS管不仅可以做开关电路，也可以做模拟放大，因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。

MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。

三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。

一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。

参考资料：百度百科-三极管

富满mos怎么样

富满mos是一种凳岁高性能的MOS管，它具有以下优点姿粗散：

1.高频特性好：富满mos的截止频率可以达到GHz级别，比普通MOS管高出很多。

2.低噪声：富满mos的噪声系数很低，适用于要求高精度的应用场合。

3.低失真：富满mos的失真很小，适用于音频功放等要求高保真度的应用场合。

4.低电压驱动：富满mos的门极电压很低，只需要几伏的电压就可以驱动，适用于低电压电路。

5.温度稳定性好：富满迹氏mos的温度系数很小，性能稳定性好。

6.可靠性高：富满mos的寿命长，可靠性高，适用于要求高可靠性的应用场合。

综上所述，富满mos的性能优越，适用范围广泛，是一种非常优秀的半导体器件。

MOS管G极串接二极管作用？

MOS管本身自带有寄生二喊薯薯极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二手乱极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G,S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，郑者防止G-S击穿。

关键词：可变电阻二极管作用电阻沟道电阻 mos管 mos管开关

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