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MOS管高度（mos管的）

发布时间：2023-06-15
阅读量：47

本文目录一览：

10N60-ASEMI中小功率MOS管10N60

1、N60在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。10N60的脉冲正向电流ISM为40A，连续漏极电流(ID)为10A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。

2、N60 ：N沟道MOSFET功率，10A 600V。10N60是耐压600V，电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V，电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。

3、输出端采用高输入阻抗的肖特基二极管代替了电阻网络。10n60场效应管的工作原理与MOS集成电路相同，其输出端采用了高输入阻抗的肖特基二极管代替了电阻网络。10N60的电性参数：最大正向平均电流10A；最大反向峰值电压600V。

4、根据查询10n60场效应管的结构参数可知，该设备的电压：600V，电流：10A，最大耗散功率：85WID，型号：10n60等。场效应管是一种具有放大作用（电压放大倍数可达30～倍）、输入阻抗高（10KΩ左右），电流小，重量轻等优点。

100N10-ASEMI大功率MOS管100N10

1、N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A，连续漏极电流(ID)为100A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。

2、N10。根据查询家电维修资料网得知，功率最大的mos管是100N10，功率是指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。

3、N10大电流场效应管封装系列。90N10具有低栅极电荷、低Ciss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt功能等特性。

ASEMI的MOS管9N90的输出电容(COSS)是多少?

N90大电流场效应管封装系列。9N90具有超低栅极电荷（典型值45nC），低反向传输电容（CRSS=典型值14pF），快速切换能力，改进的dv/dt能力，高耐用性等特性。

输出电容(Coss)：95pF 贮存温度：-55~+150℃ 引线数量：3 7N65属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为187mm，加引脚长度为28mm，宽度为16mm，高度为7mm，脚间距为54mm。

输出电容(Coss)：180pF 贮存温度：-55~+150℃ 引线数量：3 10N60属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为187mm，加引脚长度为28mm，宽度为16mm，高度为7mm，脚间距为54mm。

ASEMI中小功率MOS管20N10的连续漏极电流是多少?

1、ASEMI的低压MOS管20N06是一款TO-220封装的器件，其体积大小为约31立方厘米。具体体积大小还取决于该器件的厚度，不同厂家生产的同型号器件可能会有略微不同的体积大小。

2、N20的脉冲二极管正向电流(ISM)为72A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N20的栅极阈值电压(VGS)为±30V，静态漏源导通电阻RDS(on)为0.18Ω。

3、这种型号的二极管是一种N型场效应管，其具有较高的开关速度、低正向电阻以及高可靠性。此外，它也能够承受较大的电流，并且具有很好的耐久性。

4、快速切换速度：具有快速切换速度，使其能够以最小的切换损耗处理高频操作。高电流能力：这种功率MOSFET具有14A的连续漏极电流（ID），可以处理高电流应用。

ASEMI高压MOS管12N65的电性参数是多少?

1、N65是TO-220封装系列。它的本体长度为187mm，加引脚长度为257mm，宽度为66mm，高度为0mm，脚间距为54mm。

2、cs12n65参数及代换，12n65参数，电流12A，电压650V，可用20n65代换。根据查询相关公开信息显示，CS12N65沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。

3、JCS12N65CT是N沟道MOS场效应管，它的主要参数是650V 12A，可以代换的型号较多，比如12N70，700V，12A，2SK1466，900V20A，2SK1489，1000V，12A等等。

4、测量20N65-ASEMI高压MOS管的好坏，需要使用万用表或测试仪器进行以下测试：首先，设置万用表或测试仪器的参数，将红表笔连接20N65-ASEMI高压MOS管的引脚并将黑表笔连接到MOS管的电源接地处。

MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管

法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能 影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。

发热越小。并计算MOS管功耗。最后，根据以上参数：耐压，最大电流和功耗，选择符合以上条件的MOS管。根据允许安装尺寸选择合适的封装。比如top3，to220，to263，to252，dfn8，qfn8，sop8，sot23，sot223等封装。

关键词：电容 输出电容 特基二极管 电阻网 肖特基二极管 MOS管高度

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