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mosfet驱动光耦（光耦 mos驱动电路）

发布时间：2023-06-15
阅读量：58

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怎么用光耦PC923驱动MOSFET,具体电路应该怎么接?

1、这个很明了，你的这个光耦肯定也有较小的漏电流，这个小的漏电流就足以驱动MOSFET让他开通。这个时候你只要将MOSFET的门极用一个100K的电阻接地，泄放掉这些电荷，就可以防止误导通。

2、而mosfet驱动部分基本都在10V以上（一般mosfet的开启电压需要在10V以上才能完全导通，完全导通时导通电阻低，导通损耗就小）然后是去耦电路部分。

3、左边一种如果逻辑极性不对，不要改用右边的电路，可以改输入端，让输入通过电阻和光耦对地。

想用单片机输出的PWM直接驱动mosfet管,需要加光耦隔离吗

1、对于Vds不高功率不大的MOSFET来说用5V的TTL电平可以直接驱动（只限于不需要隔离的电路）。如果不符合上述条件就必须使用MOSFET或IGBT专用驱动光偶或IC，并在2次电路采用隔离供电。

2、单片机驱动mos 是n沟道吧，是ttl电平的mos吗？如果不是一定要加驱动电路，快速的打开和关闭。

3、有专用的驱动芯片如ir2103 如果只是单个mos管的普通驱动方式 像这种增强型nmos管直接加一个电阻限流即可。

4、可以直接驱动，因为G极电流很小，理论上只有一个结电容存在。但通常不会这样做，因为MOS管的D输入电压较高，能通过结电容给单片机的IO带来较高的尖峰电压，存在风险（MSP430的IO没有保护二极管），所以一般都会加隔离。

5、使用普通的光耦就可以了，比如PC817或者TLP512来驱动N沟道的MOS管。

6、可以加，单片机管脚驱动能力有限，光耦可以很好的驱动三极管；光耦的隔离作用，使得单片机免受干扰，系统更稳定；防止负载端故障烧毁单片机IO。

ir2110驱动MOSFET需要加光耦隔离么?

IR2110作为MOSFET驱动芯片，若你的主电路是大电压大电流，而控制电路一般都是低压，小电流，二者之间必须隔离（一般用高速光耦），以防主电路发生故障，控制电路跟着烧坏。

保护电路：为了保护MOSFET和IR2110，可以在电路中加入过流、过压、过温等保护电路。需要注意的是，单个MOSFET管的驱动电路可能不够复杂，需要根据具体的电路需求和应用场景进行设计，确保电路的稳定性和可靠性。

逻辑输入兼容IR2110/IR2113，标准CMOS或LSTTL输出，下降到3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动器跨导。传播延迟相匹配，以简化在高频应用中使用。

你再试试在管子引脚Q1的D、Q6的S极，也就是直流母线电压上加高频电容，能滤掉一些，估计作用不大，驱动电阻你用了33Ω，应该算合适了，布线好的可以用10~20Ω的，差的就尽量增大吧。

应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。

为此，给它外加了一个负偏压电路，具体见图6。图6 采用IR2110驱动电路3 应用UC3637和IR2110构成控制驱动电路 图6是IR2110构成的驱动电路。

如何同时驱动两个S极连在一起的MOSFET???

1、电路图上的Ug应该是Ug2，Ug1和Ug4可以共接一个驱动信号A，Ug2和Ug3一样信号B，A和B应该是相位或电平相反(如A=1 B=0或A=0 B=1)，A B可以是较高频变的PWM脉冲信号。

2、就是说Vs电压要比Vd大，且超过一个门槛值，才有电流流过。上图G极与S极之间内部是有类似二极管的结构，但是，电路图上的符号，并不是二极管，那个黑色箭头只表示器件中多数载流子的流向。

3、两只mosfet尽量选取特性一致的，且单只耐压大于总VDS的一半，悬浮高压略低于VDS的一半。这种电路的优点是驱动电路简单，占空比可以从0~100%。用隔离变压器驱动的电路我见过实物有6只mosfet串起来工作的。

4、内部参数对并联均流的影响 影响功率MOSFET并联均流的内部参数主要有阈值电压VTH、导通电阻RDS(on)、极间电容、跨导gm等。内部参数差异会引起动态和静态不均流。

光耦驱动场效应管做开关

1、只要电压大于开启电压，就能导通，显然12v应该大于它的导通电压了。可以在R3后用一个电阻接地（分压），使光耦未导通时g栅极电压Ugs小于IRFZ24N的开启电压。。这个接地电阻即所谓的“下拉电阻”，下拉到地，确保截止。

2、串联电阻不需要计算，取一个大点的数值就可以，因为场效应管输入阻抗很高。也许3V电压太低，不能使场效应管开启。解决方案：(1)在P0到电源之间接一个5K的上拉电阻，看看行不行。

3、两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。向左转|向右转 场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。

4、简单的方法应该是输出的脉冲信号驱动光耦光电二极管，光耦的输出端接如图电路，如果长时间工作要注意散热，灵敏度要求高或电流不足需要达林顿管，脉冲的频率不可以太高的。

5、，40A整流开销不小设压降为5V功耗将达5×40×2达一佰多瓦 3，若用交流可控硅功耗为5×40为60瓦左右并无需整流，若改用光耦驱动电路处理更简洁安全。以上电路若电源可高些可大大降低器件负担。

关键词：电阻 导通电阻 和光耦 光耦隔离 高速光耦 一个电阻 电容 光耦 结电容 驱动三极管 mosfet驱动光耦 mos管 驱动光耦 保护二极管

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