mos管怎么选择（mos管子）

发布时间：2023-06-15

阅读量：58

本文目录一览：

1、这个主要是看你用在什么上面，然后根据你的应用选择参数。一般来说，考虑的参数是Vds，Ids以及Rds这三个，还有有的会考虑Ciss这个参数的，希望能帮到你。

2、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

3、法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

4、开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

mos管怎么选择（mos管子）

　选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。

Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。

IRF740——额定电压500V，额定电流24A，导通电阻230mΩ。几毫欧的导通电阻，就只有选择IGBT了，MOS是肯定没有的。满意请采纳。

1、这个看应用在哪个模块，一般电源管理芯片有多个类别：线性低压降稳压器（LDO）。正、负输出电路。带有脉宽调制(PWM)的开关型电路。国产电源管理IC的话，推介英锐恩的EN405EN406EN4056。

2、Semiconductor--安森美半导体，主要生产宽带数据应用IC、电源管理模拟IC、低压功率晶体管等。Central Semiconducto--美国中央半导体。公司成立于1974年，主要提供多种超小型贴片封装和低功耗的分立半导体器件。

3、广东这边么，我知道的做锂电池保护IC的品牌就很多呢。比如像深圳的HLEC&SIT这个品牌，这个牌子的锂电池保护IC我个人感觉还可以，我主要的话是看这个品牌的时间。

4、北京南电科技是一家集代理、分销、现货服务和技术服务于一体的综合性元器件服务商，主要经营二三极管、集成电路IC、MOS管、整流桥等，目前南电已获得10余家国产和进口品牌原厂的官方授权，ON品牌更是现货分销17年。

5、IC就是半导体元件产品的统称，包括：1，集成电路(integratedcircuit，缩写：IC)。2，二，三极管。3，特殊电子元件。IC芯片的产品分类可以有下面分类方法：一，集成电路的种类一般是以内含晶体管等电子组件的数量来分类。

1、根据开关频率选择三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数，如果是用在高频电路中必须考虑开关管的响应时间是否满足使用条件。

2、MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

3、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。