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1、某电容器的额定耐压值为450伏,不能把它接在交流380伏的电源上使用因为380v交流峰值为537v,电容耐压达不到要求。如果需要测试单相电动机启动用的电容器耐压时,可用绝缘电阻表与直流电压表配合的方式进行测量。
2、如果这个电容器是额定耐压值为交流450伏,可以接在交流380伏的电源上使用(交流380伏应是指两相间的线电压,不必乘414);如果是直流电容器,耐压值为直流450伏则会被反向击穿。
3、电器可以在额定电压+-10%范围正常工作,380V的误差仅仅5%,直接使用没有问题。如果实际供电电压低于380V太多,再考虑变压。
1、而且由于交流电会产生感生电动势,导致电流外泄,但是直流电就没有这种现象,因此用直流来做耐压试验显然是不合适的。
2、其次,由于施加的直流电压场强分布与运行的交流电压场强分布不同。直流试验也不能真实模拟运行状态下电缆承受的过电压,并有效的发现电缆及电缆接头本身和施工工艺上的缺陷。
3、试验频率;由于电缆的电容量较大,采用传统的工频试验变压器很笨重,庞大,且大电流的工作电源在现场不易取得。因此一般都采用串联谐振交流耐压试验设备。其输入电源的容量能显著降低,重量减轻,便于使用和运输。
1、可控硅有1000A的,但是标称1000A只能在最大700A的回路中使用,一般标称都指的是峰值,实际使用最好不要查过标称电流的三分之二,要不随时有击穿的可能。
2、可控硅要选1500伏的耐压。压敏电阻我认为应选用700伏左右的。
3、可以耐1600V的单向可控硅很多,甚至2200V的都有,有的厂家叫晶闸管。
4、OT409 是一种双向可控硅 (Bidirectional Thyristor)。它的参数包括极限重复峰值电压( Vdrm) ,极限前向电压( Vf) ,极限峰值电流( Itsm) ,控制电压( Vgt)等。这些参数可以根据具体的应用需求进行选择。
测量可控硅的耐压值方法为:万用表选电阻R挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
双向可控硅的测量。将万用表拨至二极管档位,红黑表笔正反测量可控硅德任意两脚,只有两个脚之间正反测量都会有数值显示属于正常。
另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。
单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是TT1或TG极(对双向可控硅)。
单向可控硅的检测 万用表选用电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
可控硅可控制的电压可以做到很高,比如一千多伏。在日常生活中,用在调光,调速等。可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。
你可以测量一下控制极和阴极之间的电阻,其实只要在控制极和阴极之间加几V的电压就可以(一般5V以内)关键是电流需要足够大的一个尖脉冲。很多移相控制器都是使用一个0.几uF的电容作为触发电源通过触发二极管触发可控硅。
推荐你选择39Ω/10W电阻和0.1μf/630V电容。具体RC参数选择,与你的可控硅特性参数及回路要求的关断过冲都有关系。但是一般会有一个大致的范围,来满足要求,确保可控硅不会损坏。
可控硅的选型:首先是要用双向可控硅了。主要根据你的电路所用的电源及负载的功率来选型。如果用于交流220V电路,则选耐压为600V或以上;而电流则选择比负载额定电流的5倍以上的就可以了。
对不起,可控硅的耐压值是做器件时材料固有的,只能测试出来,不能计算得到。
可控硅的作用二:用作无触点开关 可控硅的作用之二就是用作无触点开关,经常用于自动化设备中,代替通用继电器,具有无噪音、寿命长的特点。
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