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光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。
既然是光敏电阻，光强变化导致阻值变化，肯定会使数据测量变化的嘛。至于控制光强，可以只用一个光源（能再暗室中最好）并保证光敏电阻与光源之间始终无障碍，控制试验时间。
光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。用两块偏振片放在光线经过的地方，通过转过其中一个偏振片，光强会发生变化。
光照特性。光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。从光敏电阻的光照特性曲线可以看出，随着的光照强度的增加，光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度，则电阻值变化减小，然后逐渐趋向平缓。
光敏电阻的伏安特性 在光敏电阻两端所加电压和其内部通过的电流的关系曲线，称为光敏电阻的伏安特性。 一般光敏电阻如硫化铅、硫化铊的伏安特性曲线如图9‐3所示。
时延特性 当光敏电阻受到脉冲光照射时，光电流要经过 一段时间才能达到稳定值，而在停止光照后，光电流 也不立刻为零，这就是光敏电阻的时延特性。
用光电效应方法测量普朗克常量；测定光电管的光电特性曲线。
光电效应与普朗克常量的测量实验。实验中，用光阑的大小来模拟光强的大小，本来就是一种粗略的手段，真正的光强应该用光功率计之类的测量，而且光源也要用标准光源。对于你所用的仪器汞灯光源来说，其发光的均匀度也不尽理想。
光电效应测普朗克常数实验是光电效应与普朗克常量的测量实验。实验原理是光电效应是指一定频率的光照射在金属表面上时，会有电子从金属表面溢出的现象。
1、它的内部结构与普通PN结管不同，它属于PIN结型，就是在P与N中间增加了基区I，构成PIN结，因为基区很薄，反向恢复电荷很小，所以PIN二极管的反向恢复时间短，正向压降低，反向击穿电压高。
2、暗电流是无光照时的电流，因为二极管两端加了电压，无光照也会产生电流，即暗电流。有光照射时，光电二极管会产生光电流（“明电流”这种说法不准确）。
3、LED的I-V特性曲线是描述电流随电压变化特性。和普通二极管的曲线一样。在开始阶段，电压很低，在正向电压正小于某一值时，没有电流流过，当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。
4、其可来研究导体电阻的变化规律。伏安特性曲线图用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U，以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。
1、简单来讲，功率分析仪是通过功率模块来采集电压电流然后获得功率值P=UIcosφ，针对三相的测量，又考虑了三相不平衡的功率算法。
2、功率分析仪指的是用于电参数测量的仪器，一般用于测电压电流功率相关值，也叫功率测试仪。
3、功率分析仪（PowerAnalyzer）是一种用于测量电力、功率和能源参数的电子测试设备。他可以测量各种交流（AC）和直流（DC）电源的电流、电压、功率、功率因数、频率、相位、谐波等参数。
4、功率分析仪主要用来测量电机、变频器、变压器等功率转换装置的功率、效率等参量。
搭建测试系统。光电器件瞬态性测试方法搭建测试系统。光电器件是指根据光电效应制作的器件称为光电器件，也称光敏器件。光电器件的种类很多，但其工作原理都是建立在光电效应这一物理基础上的。
瞬态光电压（TPV）、瞬态光电流（TPC）测试是揭示光伏、光催化等光电器件微观工作机理的关键手段。利用TPV 和TPC 检测的数据进行分析，可以得到器件内部载流子的传输、积累、复合等动力学过程的相关信息。
目前，对于宽禁带半导体材料，杂质和缺陷能级的检测主要采用深能级瞬态谱技术，即将该半导体材料制成p-n结，肖特基结或mos电容结构，在其空间电荷区上施加一个周期性的短暂电压脉冲，测量空间电荷区的势垒电容的瞬态变化。
半导体材料：半导体材料具有广泛的应用领域，例如电子器件、光电器件、太阳能电池等。TLFT可以测量半导体材料的热传导率，以评估其在高温或低温环境下的性能。
这些标准涵盖了光电器件的可靠性试验方法、多模光纤光耦合器、光电导管、光电二极管、性能规范等内容。它们规定了该领域的技术要求、测试方法和质量标准，对光电器件的工业化生产和应用具有重要指导作用。
1、折射仪、反射率计、光学系统特性参数测试仪、自动光学检测设备等。
2、光源和接收器、激光参量和波面质量的检测等方面也都属于光学检测范围。另外，还有非光学量用光学测量的种种方法进行检测：位移、形变、形貌等方面也都属于光学检测范围。
3、屈光度，瞳距，折射率。除了以上参数还应该具备屈光度，瞳距，折射率，散光镜轴度，双眼瞳孔间距离等8项参数，OD表示右眼，OS表示左眼。
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