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MOS管开关电路是利用一种电路,是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。
PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大,将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。其常见的电路有PWM MOS管底边驱动,半桥输出、H桥输出和三相弯埋全桥输出。
常见pwm驱动mos管开关电路:只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。由于MOS管内部孝塌有寄生电容有时候为了加速电容放电,会在限流电阻反向并联一个二极管。
pwm驱动mos管这个电路提供了如下的特性:
1、用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2、用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。
3、gate电压的峰值限制。
4、输入和输出的电流限制。
5、通过使用合适的电阻,可以达到很低的功耗。
6、PWM信号反相。NMOS并不需要这个埋慎蚂特性,可以通过前置一个反相器来解决。
MOS管内阻很小,普通的有 40mΩ 左右,导通电流支蚂信谈持20A;好的能到4mΩ左右,导通电闷碰流支持80A;
10A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V,不足以影响负载吧?门极导通电压为2.1V~4V,标称3V;3.7V的锂电池,饱和是4.2V,选择3.3V工作的单片机,足够驱动了。
真正要考虑的是电池的负载能力,10A的瞬态输出,及3A的持续输出,电池负载能力不足的话,电压会瞬间跌落,很可能低于3V。解决方法:
①增大电源电路的退耦电容容量;
优点:在电池电压下跌的瞬间,释放大量电量维持电压,保持单片机正常工作;
缺点:治标不治本,电容电量来自电池,充电时会消耗大量电池电量,需要常充电的电池;
②采用负载输出能力强的电池;
优点:从根本上解决负载坦迟能力不足导致电压下跌的现象;
缺点:造价不便宜;
输入是2-3脚,功能与普通的光耦一样,只是蠢谈知速度上高一点
输出是侍敏6-7脚,驱动IGBT比较适合,里面是集成电路,电流稍微比普通光耦电流大一些,所以它上下(VCC,VEE)是适合宽电压
其实就是说它的驱动能力强,带保带消护,宽电压,适合高频率,耐压高,适合IGBT
驱动MOS嘛,你用521就行了,比较灵活,还不贵
这是一个凳运类似电路 ,升压用IGBT 比较好 ,单好肢片机的PWM波形一般不能直接驱动MOS管 ,驱动电流不足 一般加一个放大电路 和隔离电枣袜梁路
关键词:驱动mos管 电容 mos管 电容容量 寄生电容 pwm驱动mos管 单片机pwm驱动mos管 控制MOS管 mos管开关 一个电阻 光耦 电阻
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