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mos管的二级效应（mos管二级效应 体效应）

发布时间：2023-06-16
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...MOS管的G极不是有电容效应吗,它是通过如何泄电荷

1、G12的电荷可通过C3和G11泄放。1D1可在线圈78电势反向时，限制加到G12栅极的反向电压，也可以限制加到栅极的正向电压，可使用稳压管，稳压值在18V左右。

2、你好！这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时，此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。再具体的，你可以查下MOS管驱动电路的资料 如有疑问，请追问。

3、实际上没有电流流过这个绝缘体(只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。

4、MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

为什什在开关电源的MOS管的基极驱动电阻上并个二极管,它能起到加速MOS...

1、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

2、一般是起保护作用，并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。

3、那个二极管主要加快MOS的关断速度，不过功率比较小的情况下效果不是太明显。

4、电阻是起限流的作用。二极管是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。

5、因为SW是电压跳变点，电平会在Vin和GND之间转换，而由于电容C4的两端电压不能突变，当SW的电平等于Vin时，BTST的电平也会突变，如果没有这个二极管，电流会倒灌入REGN。该二极管就是防止倒灌的。

6、不是栅-漏吧，应该是漏-源才是。这个是在制造过程中，MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起，而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS：不是故意加上去的。

亚阈区mos管相当于二极管

MOS管的定义：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。其属于半导体主动元件中的分立器件，能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。

mos栅源短接相当于一个体二极管，一般用来电压钳位。以PMOS栅源短接为例，其衬底和源极相连；此时源极等效为PN结的N端，漏极等效为PN结的P端，也就是说你现在看的到是一个从下方指向上方的二极管。

mos管作为二极管原理MOS管，即金属-氧化物-半导体管，是一种三极管。它由一层金属-氧化物-半导体材料组成的沟道结构。这种结构使得MOS管具有高阻断电压、低漏电流、高电流增益等优点。MOS管主要分为两类：nMOS和pMOS。

MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。NPN三极管也一样，如果偏压小于阈值电压，也相当于两个背靠背的二极管，不导通。

相当于快恢复的二极管 ，应为MOS管的工作频率比较高，所以它里面的体二极管工作频率也要高，所以相当于是快恢复二极管。

MOS管也是二极管做成的，跟三极管一样有PNP和NPN结构。几乎所以的半导体元件都是二极管做成的，确切的说是PN节做成的。

简述深亚微米工艺条件下真实的mos晶体管主要有哪些二阶效应

在SPICEⅡ中，MOS晶体管的模型有几种，例如： MOS1：一级平方律模型。—— 只考虑了MOSFET的基本性能；适用于长沟道、低精度的情况。 MOS2：二级分析模型。

④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高，宜用作数字集成电路；双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。

而在模拟电路中，需要适用于不同偏置条件，不同频率的模型，对于亚微米器件，还要考虑沟道长度调制、速度饱和等短沟道效应。

肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。

不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。

MOS管的反并联二极管可以当二级管用么?

1、快恢复二极管压降比较大比如0.7V，MOS管里寄生那个好像压降小一些。另外用MOS管代替二极管，MOS管要同步开关，就是同步整流器，你的同步信号如何得到呢。

2、MOS管做二极管都是在大电流场合做反接保护的，内阻低，都是毫欧级的。

3、就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。模拟电路书里讲的就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。

4、二极管就是二极管，非常多，为什么要用MOS管实现呢？要是用三极管，还可以当二极管用。用C-B两个脚，就是二极管。

5、本身的寄生二极管就是防止有瞬间反向电流过大，可从此二极管释放，防止烧掉管子。所以一般承受电流能力可以，并不需要在并联反向二极管保护。

MOS管问题,原理图上栅级和源级之间的那个二极管起什么作用的?

1、这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。

2、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

3、不是栅-漏吧，应该是漏-源才是。这个是在制造过程中，MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起，而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS：不是故意加上去的。

4、这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。

5、MOS管的栅极是由二氧化硅与另两个电极隔离的，其电阻极高，容易感应静电，导致击穿烧毁，为了防止静电的积累并一个雪崩二极管上去，当电压超过一定值时雪崩二极管反向击穿释放电荷，从而起到保护MOS管的作用。

6、电阻是起限流的作用。二极管是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。

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