mos管雪崩击穿原理（mos雪崩击穿）

发布时间：2023-06-17

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1、由于电子-空穴对的产生而产生光电流。当能量超过1eV的光子撞击二极管时，就会形成电子空穴对。当光子进入二极管的耗尽区时，它以高能量撞击原子。这导致电子从原子结构中释放。电子释放后，产生自由电子和空穴。

2、PIN：光敏面接收对应波长的光照时，产生光生电流；雪崩光电二极管（APD）：除了和PIN相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大，放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。

3、工作原理当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时，在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。

4、雪崩二极管它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。

mos管雪崩击穿原理（mos雪崩击穿）

1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

2、N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。

3、在场效应管的放大电路中，为实现电路对信号的放大作用，必须要建立偏置电路以提供合适的偏置电压，使场效应管工作在特性的恒流区。

第MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。

MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的操作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。

(1)穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐步增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，产生电流较大。另一方面，耗尽层展宽大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。