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输入电阻越小，信号在放大电路中的电流越大，越能发挥信号放大的作用；输出电阻越大，信号电流在输出端产生的信号电压降越大，致使输出的信号功率越大。
输入信号与输出信号同相；共集电极放大电路的输入电阻比共发射极放大电路的输入电阻大得多，可达到数十千欧到数百千欧。
简单的说就是同样的三极管，在不同的电路形式下输入电阻可能为高也可能为低，依电路结构而定。
三极管输出电阻越小越好，表明其带负载能力强，自身损耗低；输入电阻越大越好，向上一级索要的能量小，对上级影响也小。
共集输入电阻高，输出电阻低。共射频率特性差，共集相对共射频率特性好，共基频率特性最好。实际应用中一般共射级放大倍数和放大信号频率高时需要用负反馈，改善频率特性。
是导体就有电阻，要不怎么要研究超导呢。三极管内部极间分布电容和极面接触类型以及材料类型对外部输入有不同的阻碍作用，类比于电阻，又因为它不是线性的、恒定的有容抗特征，所以叫阻抗。
这个问题是这样的，在晶体管的三极管范畴里基极的输入阻抗肯定高于发射极和集电极，高多少你可以参考放大倍数和它的关系，多级晶体管是电流放大型器件。如果阻抗差不多还哪来放大一说？相对于其他两极基极的输入阻抗肯定高。
三极管的输入电阻是1015Ω。半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。
将放大电路中的CCCE短路，电源Vcc短路，得到交流通路，然后将三极管用H参数小信号电路模型代入，便得到放大电路小信号电路模型如下图所示。
旁路电容器通常应用于电路的两个位置：一个位于电源上，另一个位于每个有源设备(模拟或数字IC)上。位于电源附近的旁路电容器通过存储电荷并在必要时释放电荷(通常在出现尖峰时)来消除电源中的电压降。
三极管可以使电流放大或者电压放大。电流放大倍数β=ICE/IBE=(IC-ICBO)/(IBE-ICBO)≈IC/IB，电压放大倍数Au=Uo/Ui 。三极管的电流放大倍数又称三极管的电流分配系数，字母为希腊字母β。
HFE是三极管直流电流放大系数简称。H：Hybrid； F：forward；E：common emitter（共射接法） 其实就是三极管的电流放大倍数。
求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
这是因为三极管的特殊结构决定的：基极所在的基区非常薄，只有几个微米（人头发直径是70～80微米），另外，各区的掺杂浓度不同，发射区最浓，掺杂最多，基区中等，集电区最稀，掺杂最少。
输入阻抗高，表示该电路吸收的电源(或前一级电路的输出)功率小，电源或前级就能带动更多的负荷。对于测量电路，如电子电压表、示波器等，就要求很高的输入阻抗，以便接入仪表后，对被测电路的影响尽可能地小。
你好！输入阻抗高可以理解成是前级电阻很大，相当与一个万用表测电压时的电阻无穷大一个道理，能完全使要处理的电压输入电路 仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。
三极管 的输入电阻（应该是阻抗）是越大越好的，但也要与前级的 阻抗匹配 ，因为这里有点茅盾，就是，在大多数情况下，好的三极管的 输出电阻 是越小越好的。所以，前后级要匹配才是最好。
三极管输出电阻越小越好，表明其带负载能力强，自身损耗低；输入电阻越大越好，向上一级索要的能量小，对上级影响也小。
因为共集电极放大电路的输入阻抗，相当于把发射极电阻Re放大了β倍，所以输入电阻是很高的。输出电阻，其中Rs为信号源内阻。由此可见射极输出电阻Ro比接在输入端的信号源内阻小β倍。
关键词：三极管的输入阻抗 数字IC 输入电阻 分布电容 三极管输出 三极管输入阻抗 晶体三极管 电容 三极管的输入电阻 三极管可 旁路电容 电容器 电阻 放大电路的输入电阻
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