mos管电流多大（mos管工作电压是多少伏?）

发布时间：2023-05-15

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本文目录一览：

1、最小的MOS管的驱动电流多大？有没有5A左右的？一般一个MOS管多少钱啊？
2、MOS管的体二极管能通过多大电流
3、ASEMI的MOS管90N10的电流是90安吗？
4、MOS管AUIRF8739L2TR的电流是多少？
5、一般功率mos管的导通电流参数如何选择？
6、mos管的最大持续电流是如何确定的？

最小的MOS管的驱动电流多大？有没有5A左右的？一般一个MOS管多少钱啊？

mos管是目前需要驱动电流最小的器件之一，5A左右的mos管很容易族腊找的，当然你也可以用大于5A的来手并代替，一般的普通功率的也就一两块钱，贵的十几元二十几元。

最常见的就是 5N60 10N60等其中5与10分别代表电流大小也毕穗迹就是5A 10A

MOS管的体二极管能通过多大电流

S到D，若SG之间电压大于gs很多(不是刚刚超过gs)，则S到D之间电阻与D到S电阻相同，为相当小的数值，可称为Ron。

这种情况下，管子的压降往往比体内二极管小，故S到D电流不会通过体内二极管，实在不行换一个，或者在硬之城上面找找这个型号的资料。

mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属，绝缘体(insulator)-半导体。

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

场效应管(FET)，把输入电压的姿稿变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右迹卜孝侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。

而P沟道常见的为低弊早压mos管。

P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。

事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。

最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。

这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。

因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

mos管电流多大（mos管工作电压是多少伏?）

ASEMI的MOS管90N10的电流是90安吗？

90N10参数描述

型号：90N10

封装：TO-220

特性：大电流MOS管

电性参数：90A 100V

芯片材质困誉激：GPP

持续漏极电流(ID)：90A

脉冲漏极电流(IDM)：360A

二极管正向电压(VSD)：1.2V

栅极漏电流(IDSS)：1uA

反向恢复时间(trr)：65NS

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

90N10大电流场效应管虚好封装系列。90N10具有低栅极电荷、低Ciss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt功能等特汪袜性。

MOS管AUIRF8739L2TR的电流是多少？

AUIRF8739L2TR是40V，545A的N沟型场效应管。

望采纳。。。。。。

一般功率mos管的导通电流参数如何选择？

1. 是用N沟道还是P沟道。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当档芦大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 2. 确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电行世带涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。

3.　选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；

器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的最大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板及其MOS管的散热。

雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。

4. 选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅返羡极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损耗（Eoff）。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw= （Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。