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1、SGT工艺MOS一般常用规格参数,免费送样:25V100A的MOS管、40A、35A、30A、25A、18A的MOSFET。
2、目前市面上主流采用的MOS管有ST、ON(安森美)、infineon、fairchildsemi(仙童(飞兆半导体))、台湾富鼎先进、台湾茂达、aosmd等……。铭瑄采用最多的是ST。
3、MOS管分为几大系列:美系、日系、韩系、台系、国产。美系:IR,ST,仙童,安森美,TI,PI,英飞凌。安森美;安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。
1、MOS是开关管,也有反向峯达的,开关虽然关了他有些保留微弱的态机的,而小电流,变压器也是一个大电感应的。
2、有尖峰有可能是吸收电路中C偏小了。RCD电路参数设计网上都有,根据需要自己看吧。还有一个问题,开关频率越高,尖刺也就会越高,如果没有硬性要求,可以把开关频率降一降。
3、电感性负载具有电感性质:自感电势与电流变化率成正比。开关管关断越快,管子功率损耗越低,但是引起电流突变,导致尖峰电压,所以开关管都有并联续流二极管,使感性负载有能量释放的回路。
4、电流越大,所产生的磁力越大,表现出的就是电压表上的指针的摆幅越大,电压表内有一个磁铁和一个导线线圈,通过电流后,会使线圈产生磁场,线圈通电后在磁铁的作用下会发生偏转,这就是电流表、电压表的表头部分。
5、变压器在开关管导通时,变压器原边就与电源并联了,电源可吸收变压器引起的脉动;开关管断开后,变压器就断开了与电源的连接,也就是说,从变压器原边看,其负载发生了变化,就导致脉冲的产生。
这些大功率的进口的比较多,台湾也有几个品牌。这个有20A,29A,30A,33A,34A,38A,45A,600V47A MOS管,50A,55A,60A。海飞乐技术封装这些MOS。
ASEMI低压MOS管SI2302的参数为:最大电压为30V,最大电流为4A,Rds(on)为0.14Ω,漏极极容为7nF,能耗为8W,最大功耗为5W。
你的板卡输出的电压已经有5V了,一般的NMOS管就都可以打通。并不是G极电压一定要小于2V,大于2V也可以导通。但是最好不要大于规格书的最大电压就可以了。
首先来谈一谈十大认知度较高的国产MOS管品牌(排名不分先后):长电长晶科技,吉林华微,士兰微,华润华晶,新洁能,东光微,江苏捷捷微,乐山无线电,苏州固锝,先科。
可以考虑大电流型 IGBT,具有场效应管电压控制及双极型三极管饱和压降低的双重优势。参考型号如:RJP 4301等。你可以在某宝平台,用“IGBT 200A”(不要双引号)做关键词进行搜索,海量产品跳出。
有很多电流等级,也有进口和台产的芯片在内地封装的。
对于功率型MOS管来说,2A电流简直是小儿科。通过电流2A,加上设计裕量,起码要用额定电流在4A以上的MOS才行。比如说4N60,6N60,8N60,10N60。这些都是高耐压的管子,耐压值都是600V,前面那个数字是额定电流,8是8A。
当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。法则之二:确定MOS管的额定电流 该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。
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