mos管开关损耗公式（mos管开关次数寿命）

发布时间：2023-05-15

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本文目录一览：

1、开关电源中，开关管的功率损耗怎么计算？如MOS管，作为开关的晶体管。。。。损耗包括哪几部分？
2、mos管的最大持续电流是如何确定的？
3、mos管的功率和功耗分别是什么？
4、MOS管40N120-ASEMI的开关损失怎么计算？
5、在电路中MOS管的最大持续电流如何计算？

开关电源中，开关管的功率损耗怎么计算？如MOS管，作为开关的晶体管。。。。损耗包括哪几部分？

比较复杂，开关管的损耗的计算也非常复杂，只有经验公式没有具体的数学公式，开关管的损耗一方面分为导皮毕通损耗，因为开关管的导通是有电败握散阻的，而且此电阻受温度影响也特别大，所以不好计算，而在开关管损耗中占最大比重的确实交流损耗，就是上升的电压与下降的电流之间造察氏成的交流损耗，因为开关管并不是理想器件，管子的导通和关闭都需要一定的时间，所以也就衍生出了以后的ZVS（零电压关断）与ZCS（零电流关断）的研究，这个楼主有兴趣可以看一下。

mos管的最大持续电流是如何确定的？

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。

该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。考纯仔虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。

脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。选择额定电流后，还必须计算传导损耗。在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。

扩展资料

MOS晶体管“导通”时，就像可变电阻一样，由器件的RDS（ON）决定，并随温度而显着变化。器件的功耗可通过Iload2×RDS（ON）计算得出。

由于导通电阻随温度变化，因此功耗也会成比例地变化。施加到MOS晶体管的电压VGS越高，RDS（ON）越小；否则饥谈RDS（ON）越高。请注意，RDS（ON）电阻会做肢汪随着电流而略有上升。

参考资料来源：百度百科-mos管

mos管开关损耗公式（mos管开关次数寿命）

mos管的功率和功耗分别是什么？

MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容御拦瞎许损失，可从产品的热阻上求得。当Tc=25度时，通过附加最大容许损耗Pd，则变为Tc=150度max. Pd=(Tcmax-Tc)/Rth(ch-c)MOS管大功率和小功率也只是一个相对的说法，就比如我们平时说高个子可能是1.7，1.8，也可能是1.9；那矮个子可能是1.4，1.5，也可能是1.7，1.8，对于高度为2.0的人来说。一般来讲，电流大于10A的，电压高于500V的可以称为大功率，但不绝对。MOS的衡汪功耗是指MOS在电镇空路应用中的损耗，比如导通损耗，开关损耗等，当然设计及应用的时候这个值一定是远小于MOS管的Pd.mos管的功率和功耗分别是什么？

MOS管40N120-ASEMI的开关损失怎么计算？

MOS管开关损失怎么看：

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有一个导通电阻，所以饥世敬当DS之间有电流流动时，两端都会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，消耗的这部分能量称为导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会降低导通损耗。

MOS在开启和关烂慎闭时，一定不是瞬间完成。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程。在此期间，MOS管的损失是电压和电流的乘积，称为开关损失。一般来说，开关损耗远大于导通损耗，开关频率越快，导通瞬返基间电压和电流的乘积越大，由此产生的损耗也很大。减少开关时间可以减少每次导通时的损耗；降低开关频率可以减少单位时间内的开关次数。这两种方法都可以降低开关损耗。

在电路中MOS管的最大持续电流如何计算？

1. 是用N沟道还是P沟道

。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构

成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开

关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件

的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源

极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定

电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬逗银变。不同应用的额定

电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。

确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生

尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电

流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况

下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中山困宴会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确

定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施

加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电

气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。

3.　选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的最大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板

及其MOS管的散热。雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。

选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很尺弯多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/

源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过

程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损坏（Eoff）。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=

（Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

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