mos管漏极电流（mos管漏极电流方向）

发布时间：2023-06-17

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1、场效应管是电压控制型，输入电阻很高，可以达到亿欧或兆亿欧的数量级，所以说其栅极电流数量级很小，基本为零。在场效应管漏源导通时，其漏极电流和源极电流可以说是相等的。

2、作用不同。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。对应电位不同。

3、MOS管是电压控制型器件，由于工艺等问题不要说同一个型号，就是同一个公司、同一个批次的伏（栅源电压）安（源电流）曲线也不一定一样，要做电流源必须要有反馈，将输出的电流信号反馈给输入端，才能使电流源稳定。

VDS=VGS，处于非饱和区，所以漏电流没饱和，另外即使是处于饱和区的mosfet也会由于沟道长度调制效应，漏电流也会随VDS增加而缓慢增加。补充：你找一本半导体器件的书找到MOS器件看看他的沟道宽度调制效应就知道了。

这管子中的（饱和）电流是用来做功的，它就必挂有外负载。而这些外负载就限止这个电路中的最大电流。除非你在有足够能力的电源上短路这管子才有可能让它到它额定的饱和电流。

原因如下：在最大电流下晶体管处于开启状态，电流受阻的是栅极的电流，而非漏极电流。在增强型MOS管的设计中，为了避免漏电流过大，会采用掺杂少量P型材料的技术从而达到减小漏电流。

mos管漏极电流（mos管漏极电流方向）

MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。

电流流向不同。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。作用不同。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。

MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

如果施加的栅极电压为负值，则沟道宽度会变小，mos管可能会进入截止区。耗尽型mos管晶体管的VI特性介于漏源电压（VDS）和漏电流（ID）之间。栅极端子处的少量电压将控制流过通道的电流。

MOS管有四个极：漏极Drain，源极Source，栅极Gate，衬底Bulk。

因此，为了让mos管正常工作，必须保证该寄生二极管处于反偏。具体来说，对于nmos，寄生二极管方向是从源到漏，因此电路上电流应该从漏到源，即漏极电位高于源极才能正常工作；而pmos则相反。

1、ASEMI的低压MOS管20N06是一款TO-220封装的器件，其体积大小为约31立方厘米。具体体积大小还取决于该器件的厚度，不同厂家生产的同型号器件可能会有略微不同的体积大小。

2、N20的脉冲二极管正向电流(ISM)为72A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N20的栅极阈值电压(VGS)为±30V，静态漏源导通电阻RDS(on)为0.18Ω。

3、这种型号的二极管是一种N型场效应管，其具有较高的开关速度、低正向电阻以及高可靠性。此外，它也能够承受较大的电流，并且具有很好的耐久性。