电机驱动mos管（mos电机驱动电路）

发布时间：2023-06-17

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1、输入控制信号是PWM1 当PWM1是高电平时，Q2导通，Q1也导通，+5V通过QDR1给MOS_1提供（大电流）高电平；当PWM1是低电平时，Q2截止，Q1也截止，Q3因基极电阻R6导通，MOS_1为低电平。

2、电阻是起限流的作用。二极管是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。

3、也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。三极管的基极电流一般只有1mA就可以让其饱和导致了。具体的，你可以看一下这个三极管的规格书。

4、VDD12C为12v时，栅极电压约为0.06mv，此时Q94有可能会导通；当输入为3v时，Q94栅极为0V，Q94导通这种电路一般应保证管子充分导通与截止，就是在导通的时候降低VGS，保证VGS为负，截止的时候提高VGS，保证VGS为正。

5、输入来的信号分压，和输入电流限流。DO输入的高信号有效。R096 R097 R098是一组工作点分压电路，接近10-11伏左右，DOUT92输入的低信号有效。R97电阻有两个作用，输入来的信号分压，和输入电流限流。

1、和电容组成RC似乎不妥，电容位置应该是独立的驱动电源，降低电压变化速率，也起稳定作用，目的是释放栅极积累的电荷，避免误导通。

2、经线路分析，确认其为该板中的主要元件：环形脉冲分配器。为进一步确认该芯片的问题，首先换耐压电流功率相当的步进电机电源驱动管，恢复该芯片的电源引脚，用发光二级管电路替代步进电机各绕组作模拟负载。

3、再简单一点，就是考虑更好的散热吧。功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。要注意，大多数场合特别是LED市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。

4、MOS管要留意的参数除了电流，还有一个就是击穿电压；一般过电流越大，MOS管的击穿电压越低；如果烧坏的MOS管表面看上去完好，那就有可能是击穿了。

电机驱动mos管（mos电机驱动电路）

1、MOS管虽然是电压控制器件，在工作在较高频率下栅极反复充放电也是需要较大电流的，要利用三极管的开关为栅极提供充放电回路。

2、mos是电压型器件，栅极输入阻抗高，对电压非常敏感，只需uA级或mA级电流即可启动。而三极管的驱动电流较大，导通时间相对长，开关损耗就大。同时，mos的Rds小，压降小，自身的耗散功率就小。

3、MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个100K的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。MOS管的温度特性要比三极管好。

4、是大电流驱动MOS管，让MOS管快速导通，减少MOS管的开关损耗。这种电路一般用在高频开关电源上。

5、同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。2，宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。