mos管反向二极管（mos管反向二极管的正向特性）

发布时间：2023-06-17

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1、那个二极管主要加快MOS的关断速度，不过功率比较小的情况下效果不是太明显。

2、这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。

3、mos管旁边并以二极管用于，防止mos管反向击穿。大部分二极管所具备的电流方向性通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。

4、MOS管有电容效应，栅极串电阻是调节RC常数，控制管的开通延时，电阻上并联二极管，是为了及时让栅极的电荷释放掉，是管子正常关闭，这种二极管要用快恢复二极管。

5、这并不是串联，二极管和电容是一个整流滤波电路，对变压器反馈绕组的反击电压进行整流和滤波，以便得到一个对地负压，这个对地负压通过稳压管将开关管的基极电位下拉，以便调节占空比，实现稳压。

1、这个二极管是跟生产工艺有关的，并不是每个都有，像一些小功率的MOS和集成电路中有些就没有这个二极管，这个二极管产生的原因主要是因为我们在生产MOS的时候会将源级S接到衬底P上。

2、它不是特意做出来的，是生产时自然形成的。小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。“如果D极电压高于S极是不是这个二极管就会导通”那要看管子的极性，是P沟还是N沟。

4、一般是起保护作用，并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。

5、从而避免mos管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，g，s间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到u=q/c，故很容易在栅极上形成极高的esd电压，所以通常会在g-s之间加上tvs，防止g-s击穿。

mos管反向二极管（mos管反向二极管的正向特性）

1、这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。

2、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

3、不是栅-漏吧，应该是漏-源才是。这个是在制造过程中，MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起，而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS：不是故意加上去的。

4、MOS管的栅极是由二氧化硅与另两个电极隔离的，其电阻极高，容易感应静电，导致击穿烧毁，为了防止静电的积累并一个雪崩二极管上去，当电压超过一定值时雪崩二极管反向击穿释放电荷，从而起到保护MOS管的作用。

5、这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。