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1、从外部使用的角度来看属于电压控制，但其内部的双极晶体管还是电流驱动。你到百科中查IGBT条目可以详细了解。
2、MOSFET和IGBT是电压控制器件，类似于场效应管，可通过栅极电压控制其导通和关断，开关速度高于GTO，由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高，后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。
3、从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。
4、IGBT在逆变电路中起一个开关控制作用，根据需要，工作在导通和关断状态。IGBT本身是一个场效应管和三极管复合的管子，可以用电压来控制电流。
5、场效应管的种类很多，IGBT其实是BJT和MOSFET的复合，光从外表上看不出来，都是三个引脚封装的，管子上面的型号可以说明它属于哪一种。
6、IGBT的工作原理是，通过在晶体管的晶体管基极和源极之间施加电压来控制电流的流动。当电压施加在晶体管的绝缘门上时，它可以控制通过晶体管的电流的大小。当电压施加在晶体管的源极时，电流就会通过晶体管流动。
1、IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。
2、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
3、igbt的全称是InsulatedGateBipolarTransistor。igbt的全称是InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管的意思。它相当于电路开关，具有稳定控制电压，耐压性强等热点，多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。
4、IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的英文缩写。可以翻译做绝缘栅双极晶体管。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
5、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型功率管 是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
6、绝缘栅双极型晶体管，是电动汽车电机控制器内，把高压直流转换为三相交流的开关元件。
IGBT是一种功率晶体，运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能，使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。
igbt(insulated gate bipolar transistor)，绝缘三双极型功率管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
igbt的作用最通俗的理解是：用于变频器逆变和其他逆变电路。将直流电压逆变成频率可调的交流电。
IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
1、IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。 反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。
2、IGBT的工作原理是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。
3、IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。
4、动态特性 动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分，一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间，另一个是开关过程中的损耗。
5、表示。主要有集电极（C级），门级（G级），发射级（E级）。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。
6、IGBT，绝缘栅双极型晶体管.也就是场效应管与双极性管的复合管。
1、其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。
2、IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
3、击穿电压低，工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
4、常用全控型电力电子器件：门极可关断晶闸管。电压控制型器件：电力晶体管、绝缘栅双极晶体管。电流控制型器件：电力场效应晶体管。单相桥式整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为sqrt(2)U/2和sqrt(2)U。
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