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1、可控硅触发,电压的跨度比较大,从几付到几百付都是可以的,最主要的是触发电流;常用的可控硅触发电流在1-10mA左右,记住,可控硅触发,一般都是说触发电流的,有电压了,调节电流就可以很好的控制了。
2、单片机可以控制单向可控硅,对于小功率单向可控硅,控制极电流只要几毫安,电压3到5伏(1伏左右就可开通,注意不要误 触发),单片机可以直接驱动。但最好用光偶隔离。大功率可控硅,触发电流几十毫安,要加功率放大才行。
3、如果软启动器的额定电压为36伏,那么它可能不足以控制起动380伏电机,因为软启动器提供的电压不足以启动电机。
4、两个不一样 输出值也不相同 输入电压范围 即UPS允许市电电压的变化范围,因为当地的电压波动情况直接影响UPS的运行,特别是有些地区电网比较恶劣,白天和晚上的电压相差很大。
5、当软启动器在设定的启动时间电压升到100%,认为起动结束,输出指令吸合旁路接触器,将可控硅旁路。接触器吸合瞬间可控硅是开通的,这样能更好地避免可控硅承受过电压冲击而损坏。
6、软启动器同时还提供软停车功能,软停车与软启动过程相反,电压逐渐降低,转数逐渐下降到零,避免自由停车引起的转矩冲击。软起动与传统减压起动方式的不同之处是: (1)无冲击电流。
1、当软启动器在设定的启动时间电压升到100%,认为起动结束,输出指令吸合旁路接触器,将可控硅旁路。接触器吸合瞬间可控硅是开通的,这样能更好地避免可控硅承受过电压冲击而损坏。
2、软启动器的工作原理如下:用软启动器启动电机时,晶闸管的输出电压逐渐升高,电机逐渐加速,直到晶闸管完全导通。电机工作在额定电压的机械特性上,从而实现平滑启动,降低启动电流,避免启动过流跳闸。
3、其次,软启动的原理就是通过控制开关管的导通程度 使负荷端电压逐渐升高,从而使负荷电流缓慢升高 这一过程即为软启动过程。最后,软启动与变频器之间的关系是现在的变频器设计都会采用软启动技术。
4、可控硅的工作原理为:要使晶闸管导通,一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压,二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后,松开按钮开关,去掉触发电压,仍然维持导通状态。
1、当软启动器在设定的启动时间电压升到100%,认为起动结束,输出指令吸合旁路接触器,将可控硅旁路。接触器吸合瞬间可控硅是开通的,这样能更好地避免可控硅承受过电压冲击而损坏。
2、这不是门电路,是两个可控硅组成的模块。为什么要了解电路原理呀?如果这些最基本的器件还不熟悉,不能理解电路原理,需要补充相关的基础知识。
3、由于可控硅比较昂贵而且更换困难,为了保护可控硅要用快速熔断器防止软启动器下口发生短路烧毁可控硅,图4A是指在经常使用的场所,软起动器的上口不加接触器,图4B是指不经常使用的场所,在停车后将软启动器的电源断开。
可控硅的输出电压为1~2伏。可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。
mcr100-6可控硅出触发电压为0.4-0.8V。触发电流为10mA。
单片机可以控制单向可控硅,对于小功率单向可控硅,控制极电流只要几毫安,电压3到5伏(1伏左右就可开通,注意不要误 触发),单片机可以直接驱动。但最好用光偶隔离。大功率可控硅,触发电流几十毫安,要加功率放大才行。
可控硅触发的常用几种形式:光耦、dbmcu。DB3触发的时候触发电压在30v,其他更低。关键不是电压,可控硅是电流触发器件,你需要知道的是电流的极限而非电压极限。
这个电路没有问题。因为无论在240VAC的正、负半周,当4脚电压增至7V左右,FKPF12N60 即触发导通,4-6脚间电压随即下降。如此循环,故不会损坏晶闸管。
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