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1、解:你的理解有误,输入电阻中已经考虑了Re和 Rc的值。最终:Ri=Rb1∥Rb2∥Ri。其中,Ri=rbe+(1+β)RL。在其中,RL=Re∥Rc。
2、因为那是恒流源,uL//Req 的电流与R无关,R通过的电流总是10A,所以无视R就是了。
3、求外电路的等效电阻就不算电源内阻;求全电路的等效电阻就要算电源内阻。
4、一般小于开启电压的几十分之一就认为是小信号。
5、电阻和电流源是简化的三极管的模型电路,共射时,等效电路时三极管就可以用电阻和电流源表示,电阻是射级和基极的结电阻,电流源是因为基极上通过的小电流ib在集电极输出时会被放大成βib,其它照画。
6、首先明确晶体管的三个端口(假设不考虑mosfet的衬底端口 )与小信号模型的对应关系。
场效应管的微变等效电路见下边两个图。第一个图考虑了管子的输出电阻rds。第二个因为rds很大而被忽略了。
应该是在G、S之间吧。是二只反向串联的二极管,是起保护用的,防止G、S被静电击穿或电路上驱动电压太高,损坏MOS管。
都可以用受控电流源等效,只是输入电阻rgs很大,通常作为开路处理。场效应管(FET)路放大电路有共源极、共漏极和共栅极三种接法,对于每一种接法的电路,求解AV、Ri和Ro等放大性能指标的方法与双极型三极管放大电路类似。
场效应管自然有对应的参数,比如对应的等效电阻什么的。
是的,这个电路设计的不是太合理。不过,基本原理是对的。开关打到A点时,GS加有正电压,场效应管导通,继电器带电吸合。当开关打在B点时,场效应管G极接地,管子截止,继电器失电断开。
1、先画出晶体管的微变等效电路 当输入信号很小时,在静态工作点附近的工作段可认为是直线。当Uce是常数时,ΔUвE与ΔIв之比称为晶体管的输入电阻。在小信号放大区,rье是常数。
2、先画交流等效图。方法:将电源和电容短路,其它照画。将三极管用微变等效电路取代。方法:三极管基极和发射极之间用一个电阻取代,流入电流。集电极和发射极间用一个受控电流源取代,受控源电流即可。
3、现在常用的微变等效电路画法有以下四种:首尾相接法 如果是全都是首尾相连就一定是串联,如果是首首相连,尾尾相接,就一定是并联。如果是既有首尾相连,又有首首相连,则一定是混联。
1、实际上没有电流流过这个绝缘体(只是电容的作用),所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。
2、MOS管一般又叫场效应管,与二极管和三极管不同,二极管只能通过正向电流,反向截止,不能控制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的。
3、mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
4、mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。
5、电容的电流损耗)。 最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)(metal oxide semicondutor field effect transistor)。
开关管的开关模式电路如图4所示,二极管可是外接的或MOS管固有的。开关管在开通时的二极管电压、电流波形如图5所示。
mos管导通原理MOS管导通原理是指在MOS管中,当控制电压Vgs达到一定的阈值时,MOS管就会导通,从而使输出电压Vds达到一定的值。
MOS管导通是在其栅极(G)端施加高电平,而源极(S)和漏极(D)之间的电势差超过了临界电压时发生的。因此,如果我们想让MOS管导通,需要将G端连接到高电平电源。
一般来说,MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大,然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。
简单的说,mos管通过g端的电平来控制d与s端的导通,就像开关一样(g为按键,d与s分别为两边连线)。N、P型的区别,就是一个为正电压启动(NMOS),一个为负电压启动(PMOS)。
关键词:继电器 坏MOS管 双极型三极管 电阻 电容 mos晶体管 三极管放大电路 输入电阻 一个电阻 等效电阻 mos管
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