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1、场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。
2、mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。
3、因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。
MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。MOS管比较抽象，是因为绝大部分学校对于MOS的教学比较粗糙，很少教。MOS管特别怕静电，要是不小心，就容易坏，比三极管要难使用。
也就是三极管导通了。当你将水龙头开到极限位置时水流就不再增加了，这叫做饱和，同样三极管的基极电压太高时集电极电流也会不再增加，就是说它也饱和了。
MOSFET是用栅极电压控制沟道的开关程度，实现沟道（漏极）电流控制。MOSFET是个电压控制电流的器件。
电脑CPU芯片里边有二极管（主要用于基准电压源），但是更多的是MOS管和三极管；电脑内存里边大概没有二极管。
芯片材质不同，现在芯片用的MOS管是通过电子形成电流沟道，以前用的MOS管是用空穴流作为载流子。现在芯片用的mos管，负载连接到干线电压上时，这个MOS管就构成低压侧开关。这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
这一层门电路也是晶体管门电路的一部分，晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动，通过对门电压的控制，电子的流动被严格控制，而不论输入输出端口电压的大小。准备工作的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖一个感光层。
原理：芯片是一种集成电路，由大量的晶体管构成。不同的芯片有不同的集成规模，大到几亿；小到几几百个晶体管。晶体管有两种状态，开和关，用0来表示。
芯片在电子学中是一种将电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化或微型化的方式，时常制造在半导体晶圆表面上。从结构上看，芯片由大规模集成电路、阻容元件、保护电路、稳压电路、封装材料等组成。
不需凡事再由基础的一个个晶体管处设计起。集成电路可以把模拟和数字电路集成在一个单芯片上，以做出如模拟数字转换器和数字模拟转换器等器件。这种电路提供更小的尺寸和更低的成本，但是对于信号冲突必须小心。
1、工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
2、由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
3、MOS场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的。通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOS主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。
驱动电路区别 IGBT输入电容要比MOS大，因此需要更大电压驱动功率，mosfet一般在高频且低压的场合应用，即功率＜1000W及开关频率＞100kHZ，而IGBT在低频率高功率的场合表现较好。
可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。
从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型。
一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。
mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。
在金属中，响应外加场的电子密度非常大，以至于外部电场只能穿透很短的距离进入材料。然而，在半导体中，可以响应外加场的较低密度的电子（可能还有空穴）足够小，以至于场可以穿透到材料中很远。
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